728x90 반도체 교육32 [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (14) CMP 주요 모듈 반도체 제조 공정 장비 운영(14) CMP 주요 모듈CMP 장비 시스템 구성 1. CMP 구성 모듈연두색이 로더노란색이 로봇 2. CMP 장비 구성회전하면서 연마제인 slurry 공급 CMP 장비 구성품 1. 웨이퍼 헤드와 플레이튼 2. 슬러리: 산화막 연마제- 알칼리 수용액의 작용물 분자의 산화막 표면 침투, 수화작용으로 Si-O 결합력 약화, 실리카 입자 표면의 실리콘에 연결된 수산기(OH)기와산화막 표면의 수산기가 결합, 실리콘 표면의 Si-OH 결합, 실리카 입자의 물리적 마찰에 의해 산화막 표면의 Si-OH결합, 실리카 입자의 물리적 마찰에 의해 산화막 표면의 Si-OH 결합이 이탈, 산화막 표면 제거- 산화막용 연마액 : pH 10~12정도의 염기성인 KOH- 연마제: 실리카 또는 세리아 계.. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (13) CMP 주요 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(13) CMP 주요 공정CMP 공정 기술 화학적 기계적 방법으로 반도체 웨이퍼 패턴을 연마해서 광역 평탄화를 실행하는 것 1. CMP: Chemical Mechanical Polishing평탄화 공정 시 연마촉진제를 연마 장치에 공급해주면서 연마판(PAD)에서 반도체 패턴의 광역 평탄화 2. CMP 구성패드 속 폴리우레탄 적층구조 3. CMP의 목적 및 역할 적층구조로 인한 단차를 평탄화포토공정에서의 난반사를 방지 4. 평탄화 공정의 필요성다중 금속 층 배선-> 수많은 트랜지스터와 개별 IC 상의 필요 요소를 상호 연결-> 소자의 밀도를 가중시켜 과도한 표면 지형도 발생-> 표면 상의 굴곡이 심한 계단차 형성 계단차-> photo공정 노광기 렌즈의 초점 마진이 협소-> 표면 .. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (12) Cleaning 장비 유지 보수 방법 반도체 제조 공정 장비 운영(12) Cleaning 장비 유지 보수 방법예방 및 점검의 이해 PM: Preventive Maintenance 장비의 성능유지, 고장 방지 -> 수명 연장, 생산성 향상- 주기적인 예방 점검 항목 인지, 일정 절차에 따라 실시- 일지 작성- 원인 분석 미 영향 평가- 보고서 작성- 이상 발생 시 조치- 통계적 분석을 활용해야함 - Daily 일일 유지 보수 주기는 필요에 따라 변경할 수 있으며 문제 발생 시 점검을 해야함 - Monthly 유지 보수로드 락 모듈 각종 센서 및 게이지펌프 오일, 펌프 전류자 - 분기별 유지 보수가스 유량 등 확인 - 반기별 유지 보수 Half Year누수 확인, 구동부 단자 확인, Auto Door Safety Sensor 확인 - 연간 유.. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (11) Cleaning 공정 불량 분석 반도체 제조 공정 장비 운영(11) Cleaning 공정 불량 분석Cleaning 공정 불량 분석 1. Residue공정이 진행됨에 따라 커짐온도에 따른 P/R Residue 제거에 대한 SEM 관찰 결과85도씨 정도에서 제거됨을 확인 2. CorrosionDIW Contents > 20% 영역에서 주로 발생3. Water Mark 4. Particle다양한 공정에서 발생 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (10) Cleaning 주요 모듈 반도체 제조 공정 장비 운영(10) Cleaning 주요 모듈1. Immersion Tank Type반도체 집적회로의 웨이퍼 표면을 세정하기 위한 화학적 습식 클리닝의 방법으로RCA 세정과 함께 발달해온 기본적인 세정 장치 방식 Batch Type으로 공정이 진행됨 각각 다른 chemcial을 다루는 많은 수가 있음 2. Centrifugal Spary TypeWafer가 Spray Column 주위를 빠른 속도로 회전하고, Spray Column에서 세정액을 분사시켜 세정하는 방식 Immersion Tank Type 과 Centrifugal Spary Type의 차이점 3. Closed System TypeWafer를 닫혀진 Vessel 내부에서 세정한다는 점에서 Centrifugal Spary T.. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (9) Cleaning의 주요 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(9) Cleaning의 주요 공정세정공정의 분류 1. 건식세정(Dry Cleaning) 2. 습식(Wet Cleaning) - RCA 세정이 대표적: 과산화수소를 근간으로 함- RCA CleaningSC1(Standard Cleaning-1): 암모니아 과산화수소, 물을 일정한 비율로 혼합하여 세정SC2(Standard Cleaning-2): 염산, 과산화수소, 물을 일정한 비율로 혼합하여 세정,HPM(Hydrochloric Peroxide Mixture)라고도부름.대부분의 금속 오염물들은 희석 염산만으로도 제거가 가능하지만전기음성도가 큰 귀금속(Noble Metal: Cu, Al)은 어렵기 때문에 염산과 과산화수소가 혼합된 세정용액으로 제거해야함 - Piranha Clean.. 2024. 6. 25. 이전 1 2 3 4 5 6 다음 728x90
