728x90 반도체 가상훈련4 [8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (4) 찰칵! 패턴 그리기(포토,식각 공정) :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(4) 찰칵! 패턴 그리기 학습목표 PR과 포토 공정에 대해 설명할 수 있다, 포토 공정에서 노광 방식의 발전 동향에 대해 설명할 수 있다,식각 공정에 대해 설명할 수 있다 학습목차 1. 포토 공정2. 식각 공정 1. 포토 공정 UV에 사용되는 PR -> 현재는 EUV까지 발전한 상태 Positive PR 빛을 받은 부분이 현상 시 사라지는 PR Resin+ 감광제 + solvent Novolac 기반 + DNQ(감광제) + Acetate DNQ: 노광 전에는 Novolac 수지의 용해를 억제하는 기능을 하지만노광을 진행하면 N2가 분리되어 C=O 자리를 차지해 -COOH(카복실기)가 생성됨-> 노광된 영역은 염기성 현상액에 용해되어 사라지게 됨 Negative PR .. 2024. 7. 6. [8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (3) 모래로 웨이퍼 만들기 :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(3) 모래로 웨이퍼 만들기학습목표 웨이퍼 제작 공정에 대해 설명, 세정 방법과 산화막 형성 공정에 대해 설명 학습목차 1. 웨이퍼2. 세정3. 산화막 형성 1. 웨이퍼 웨이퍼의 크기가 클수록 생산되는 칩의 수 증가-> 80년대 4인치 -> 2010~ 12인치 칩 크기 변화시 공정 전체 변화가 수반됨. 웨이퍼의 특성Si 의 결정구조: FCC (Face Centered Cubic) 단위면적 당 원자수가 많아지면 산화속도는 증가하지만 식각 속도는 감소함단위면적 당 원자수가 적어지면 문턱전압에 영향을 주는 고정 전하가 줄어들기 때문에MOSFET의 기판으로는 100을 사용 8인치 이상은 스크라이브 라인을 잘 쓰지 않는다. 다만 플랫존간의 각도에 차이를 둬 표시할 수 있음.. 2024. 7. 4. [8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (2) Fab에 입장하다 :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(2) Fab에 입장하다학습목표반도체 8대 공정에 대해 설명할 수 있다, FAB의 구조에 대해 설명할 수 있다. 학습목차1. 8대 공정2. Fab 1. 8대 공정 1. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼의 재료는 주로 실리콘- 지구상에 양이 풍부함- 밴드갭이 크고 열적 안정성이 높음- 도핑에 유리함- 무독성- 산화막 특성이 우수 웨이퍼 제조 방법- 웨이퍼란?반도체를 성장시켜 만든 단결정 기둥을 얇게 썰어낸 원판 *단결정 기둥(잉곳):Czochralski Method(초크랄스키 기법)(CZ) -> 도가니를 사용한 방식 / 대부분 기업이 사용하는 방식Flat zone Growth(플랫존성장)-> RF코일을 이용, 도가니를 사용하지 않아 순도가 더 높음 / 다만 생산성이 떨어져기업보.. 2024. 7. 2. [8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (1) MOSFET이란? :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(1) MOSFET이란?학습목표 MOSFET의 동작 원리 설명, 메모리 산업에서 MOSFET의 중요성 설명 학습목차 1. 접합의 종류 - pn 접합, 금속-반도체 접합2. MOSFET - 구조, 동작 원리, scaling의 영향3. 메모리반도체 - 휘발성 메모리, 비휘발성 메모리 1. 접합의 종류 반도체: 도체와 부도체의 중간 영역에 속하는 전기적 성질을 갖는 물질진성 반도체: 열적 생성된 EHP가 캐리어로 작용외인성 반도체: 도핑을 통해 캐리어 농도 조절 가능 n type: 15족 원소(P,As)가 Dopant, Donor(전자주개)로 작용p type: 13족 원소(B)가 Dopant, Acceptor(전자받개)로 작용 외부 전계 인가 여부에 따라 Net Vel.. 2024. 7. 1. 이전 1 다음 728x90
