728x90 반응형 웨이퍼 레벨 패키지 공정2 [반도체 후공정] (8) 웨이퍼 레벨 패키지 공정 2 / WLCSP / 솔더 볼 마운팅 / WSS / CoWoS / CoCoS 반도체 후공정 (8) 웨이퍼 레벨 패키지 공정 2- SK 하이닉스 뉴스룸#1. 팬인(Fan in) WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package) 공정팬인 WLCSP는 웨이퍼 테스트가 끝난 웨이퍼가 패키지 라인에 입고되면, 먼저 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 금속 박막층을 만든다.그리고 그 위에 포토 레지스트(Photo Resist)를 두껍게 도포하는데(Thick PR Coating),패키지용 금속 배선 형성을 위해서는 그 배선 두께보다 포토 레지스트가 두꺼워야 하기 때문이다.포토 레지스트는 포토 공정으로 패턴을 만들고,패턴이 되어 열린 부분에 전해도금으로 구리(Cu)를 도금하여 금속 배선을 형성한다(Cu Electro-plating).배선이 형성되면 포토 레지스트를 벗겨주고.. 2024. 7. 18. [반도체 후공정] (7) 웨이퍼 레벨 패키지 공정 / 팬인 / 팬아웃 / RDL / 플립칩 / TSV패키지 반도체 후공정 (7) 웨이퍼 레벨 패키지 공정- SK 하이닉스 뉴스룸 웨이퍼 레벨 패키지는 웨이퍼 상태에서 패키지 공정을 진행하는 것을 뜻한다.대표적으로 전체 공정을 웨이퍼 상태에서 진행하는 ▲팬인(Fan in) WLCSP(Wafer Level Chip Scale Package),▲팬아웃(Fan out) WLCSP가 있고, 전체 패키지 공정의 일부를 웨이퍼 상태로 진행하는▲RDL(ReDistribution Layer) 패키지,▲플립 칩(Flip Chip) 패키지,▲TSV 패키지도 넓은 의미에서는 웨이퍼 레벨 패키지 범주에 들어간다. 패키지 타입에 따라 전해도금*으로 형성되는 금속의 종류와 패턴의 차이만 있고, 유사한 순서로 진행한다.일반적인 공정 순서를 설명하겠다. * 전해도금 : 양극판에서 산화반응이.. 2024. 7. 17. 이전 1 다음 728x90 반응형
