기획이 좋아서

삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 반도체 용어들을 다시 한 번 확인해보자!공부 자료 제공에 항상 감사드립니다. :)1. GAA Gate All Around, 전류가 흐르는 네 개의 면을 게이트가 둘러싸는 형태의 트랜지스터 구조  게이트에 전압이 가해지면 트랜지스터는 채널-소스-드레인을 통해 전자가 흐르면서 동작한다. 하지만 트랜지스터가 소형화 되며 소스와 드레인 간의 거리가 가까워져 누설전류가 발생하게 되고게이트도 짧아져 제 역할을 못한다. 단채널 현상(Short channel effect)는 전류의 흐름을 조절하는 게이트가 너무 짧아져 발생하는 현상을 일컫는다.이것을 방지하기 위해 1차원 Planar FET, 3차원FinFET를 통해 GAA구조로 발전했다.4개의 채널을 4개의 게이트로 감싸 더욱 확실한 전..

SRAMDRAMNAND Falsh  이번 포스팅에서는 메모리반도체 SRAM, DRAM, NAND Flash의 차이에 대해서 알아보려고 한다.  RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory)은 휘발성 메모리로임의의 주소에 접근(Random Access)할 때 걸리는 시간이 거의 동일하다는 뜻인데,어떤 위치의 메모리 주소에서 데이터를 읽고 쓰는 시간이 거의 동일하다는 의미이다. 사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치로, 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다.  '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 책상..

UFS : Universal Flash Storag고용량 소형화 저전력 기술 솔루션고속컨트롤러 + 낸드플래시  스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다.128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다. 최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다.  MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재 UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다.플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리전원이 끊겨도 데이터를 전기적..

디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) :  기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000..

메모리 반도체 DRAM "DDR"DRAM: Dynamic Random Access Memory (동적 랜덤 엑세스 메모리), 임의 접근 기억 장치의 한 종류 DDR : Double Data Rate로, 다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는 솔루션 고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북 등 각 애플리케이션에 최적화 설계 DDR5 : 삼성전자의 12나노급 DRAM 초고속DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다. 대용량삼성의 12나노급 공정과 EUV 기술을 적용하여 최대 1TB 용량의 DDR5 메모리 ..

MAP 1. 빅데이터 시대 속 데이터 처리의 새로운 길 인공 지능, 머신 러닝 등의 기술 발전으로 처리해야 할 데이터양이 폭증하면서, 고성능 CPU는 빠른 데이터 처리를 위해 단일 칩에 점점 더 많은 코어(Core)를 통합하고 있다.  특히 AI 서비스를 위한 고성능 CPU에는 100개가 넘는 코어가 존재한다. 코어 수가 증가할수록 각 코어를 담당할 충분한 메모리가 필요한데, 현재 위와 같은 상황으로 인해 고속 인터페이스를 사용하고 용량 확장이 용이한 메모리 제품에 대한 수요가 급증하고 있다. 그러나 기존에 사용되어 온 DDR 인터페이스 기반의 D램은한정된 범위 내에서만 용량을 확장할 수 있어 AI 서비스에 필요한 성능을 충족시키지 못했다. 이로 인해 기존 메모리 성능과 고성능 CPU 간에 격차가 생기면..

Map 1. HDD에서 SSD로! 저장매체 패러다임의 변화 *HDD: Hard Disk Drive 'HDD'는 비휘발성 데이터 저장소 중 가장 오랜 시간 대중의 사랑을 받았다.1950년대에 출시된 이후 지속적인 개발을 거쳐, 1990년대에는 개인용 컴퓨터의 핵심 부품으로 자리 잡기도 했다. 그러나 오늘날 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 등 대부분의 전자기기에는 'SSD'가 사용되고 있다.이렇듯 시대별 보조 기억장치의 대표 주자로 자리했던 HDD와 SSD의 차이점은 과연 무엇일까? 1990년대 이후 대부분의 PC는 HDD라는 저장장치를 활용했다.HDD는 금속이나 유리로 만들어진 원형 판 ‘플래터(Platter)’와 바늘 모양의 ‘헤드(Head)’로 구성된 기계식 저장장치다. HDD의 데이터 처리 방식은 LP판에..

MAP 1. 트랜지스터가 최초의 반도체라고? 첫 번째 키워드는 ‘트랜지스터’다. 트랜지스터는 반도체를 구성하는 주요 소자로 게이트를 통해 전류의 흐름을 조절하는 역할을 한다. 전자기기는 대부분 전류의 흐름을 조절하는 방식으로 정보를 저장하기에 트랜지스터는 ‘최초의 반도체’라 불린다.위 그림에서 볼 수 있듯이 트랜지스터가 작아지면 더 빠른 연산이 가능하고, 더 적은 전력으로 동작할 수 있다. 즉, 트랜지스터를 작게 만들어 웨이퍼 하나에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣느냐는 반도체의 성능과도 직결되는 문제 MAP 2. 초미세 공정의 한계에 부딪히다반도체를 작게 만드는, ‘초미세 공정’은 반도체 기술력의 상징으로 불린다. 반도체 크기가 작아질수록, 반도체 칩을 구성하고 있는 트랜지스터도 점점 작아져야 하는데, 이..

반도체 성능은 한정된 공간에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣을 수 있느냐에 따라 결정된다. 이에 대해 ‘반도체 집적도는 24개월마다 두 배로 늘어날 것이다’라고 예측한, 일명 ‘무어의 법칙(Moore’s Law)’도 존재한다.  MAP 1. 반도체 미세화의 한계를 극복할 키 기존의 반도체들은 고유의 성능을 각자 가지고, 세트(완제품)를 통해 결합되어 각종 응용처에서 활용되어 왔다.그러나 반도체의 핵심인 미세화 기술의 난이도가 급격히 증가하고 있으며, 이에 따른 개발 비용도 기하급수적으로 증가하고 있다. 또한 모바일, 웨어러블, 클라우드, 인공지능, 자동차 등 다양한 응용처에서 각종 반도체 칩들이고밀도로 실장되어 고성능을 구현하기 위해서는 기존의 미세화 기술로는 요구되는 성능을 만족하기 어렵게 되었다. 이에 ..

DDI: Display Driver IC, 디스플레이 픽셀을 구동해서 화면을 송출시키는 시스템 반도체  MAP 1. 넘치는 생동감을 경험하게 해 줄 DDIDDI는 ‘Display Driver IC(Integrated Circuit)’의 약자로, 디스플레이를 구성하는 수많은 픽셀을 구동하는 데에 쓰이는 작은 반도체 칩이다. 다시 말해 OLED, LCD와 같은 다양한 유형의 디스플레이에서 화면이 송출되기 전 마지막 단계를 거치는 곳으로, 수많은 픽셀을 컨트롤하며 화면을 통해 보이는 모든 화소를 선명하게 구현해 내는 역할을 한다. 겉으로는 보이지 않지만, 위 그림처럼 얇은 몸으로 디스플레이의 가장자리에 들어가있다.스마트폰의 전면을 보면 베젤(화면의 테두리)이 위치해 있는데, DDI는 이 베젤의 뒤쪽에 위치한다..