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반도체 공부/반도체 용어

[반도체 용어] DDR5 / 삼성전자 DRAM

by zn.__. 2024. 6. 29.
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메모리 반도체 DRAM "DDR"

DRAM: Dynamic Random Access Memory (동적 랜덤 엑세스 메모리), 임의 접근 기억 장치의 한 종류

 

DDR : Double Data Rate로, 다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는 솔루션

 

고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북 등 각 애플리케이션에 최적화 설계

 

DDR5 : 삼성전자의 12나노급 DRAM

 

초고속

DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.

최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다.

 

대용량

삼성의 12나노급 공정과 EUV 기술을 적용하여 최대 1TB 용량의 DDR5 메모리 모듈을 구현 할 수 있습니다.
4배 늘어난 용량은 대규모 작업량을 유연하게 동시 처리하는 것과 함께 향후 확장성을 가능하게 합니다.

 

견고한 신뢰성

ODECC(on-die error correction code) 기술은 안정적인 데이터 신뢰성을 유지
DDR5의 강력한 성능을 충분히 활용할 수 있도록 함

빅 데이터 환경에서도 신뢰성 제고를 위해 1 비트의 오류까지 자가 보정함

 

저전력설계

성능 개선과 전력 감소를 통해 DDR4 대비 30 % 높은 전력 효율성을 확보했습니다.
데이터 센터의 DDR4를 DDR5로 교체하면 연간 최대 1TWh의 전력이 절감됩니다.
또한 DDR5의 On-DIMM PMIC는 전력 관리 효율성과 공급 안정성을 더욱 향상시킵니다.
이것은 우리 환경을 위한 지속 가능한 선택입니다.

 

용량, 속도, 온도에 따라 제품이 구분되며 파트넘버가 있음

 

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