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[8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (5) 소스, 드레인, 게이트를 만들면 완성! :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(5) 소스, 드레인, 게이트를 만들면 완성! 학습 목표 이온 주입, 금속 배선 공정을 이용한 단자 형성 방법에 대해 설명할 수 있다,테스트 공정을 통한 MOSFET의 완성도 평가 방법에 대해 설명할 수 있다 학습 목차1. 이온 주입 공정2. 금속 배선 공정3. 테스트 공정 1. 이온 주입 공정 장비소스원하는 Dopant를 포함하는 가스를 플라즈마로 만들면 이온, 라디칼, 전자가 생성된다13족 dopant B(BF3, BCl3) , 15족 dopant P, As (PH3, AsF5, AsH3) Mass Spectrometry (질량분석기)자기장을 가해 반경 차이를 이용해 이온을 분류, 원하는 이온을 선택할 수 있다 적정 반경의 슬릿을 설치해 원하는 이온을 얻을 수 있음.. 2024. 7. 9.
[반도체 전공정] (1) 컴퓨터, 트랜지스터의 탄생과 반도체 (1) 컴퓨터, 트랜지스터의 탄생과 반도체 : SK하이닉스 뉴스룸인간은 게으르다. 주말이 되면 일어나고 싶지 않아, 이불 속에서 스마트폰을 하는 것이 일상이다. 회사에 가서 회계 업무를 볼 때, 수만 개의 숫자를 일일이 더하고 뺀 뒤 암산하고 싶지도 않다. 내가 할 일이 줄어들면 삶은 매우 윤택해질 것이다. 나는 가만히 앉아서 명령만 내리고 매일 누군가가 그 일을 대신해 준다면 얼마나 편리할까? 문제는 업무의 정확도다. 방의 전등을 끄는 정도의 지시는 웬만한 사람이라면 다 해낼 수 있다. 하지만 해야 하는 일이 매우 복잡한 숫자 수천 개를 오차 없이 계산하는 것, 원주율을 수만 자리까지 계산하는 것이라면 어떨까? 이런 작업들은 사람이 할 줄 알더라도 실제로 해보면 실수가 빈번히 일어나는 일들이다. 이런 .. 2024. 6. 11.
[삼성전자 뉴스룸] 온디바이스 AI 시대의 중심 / LPCAMM2 / SO-DIMM / 온보드형메모리 / LPDDR LPCAMM2: Low Power Compression Attached Memory Module   ‘더 얇게, 더 가볍게’가 당연시되는 요즘이다. 대부분의 제품이 그러하지만, 특히나 PC나 노트북과 같은 IT 기기 시장에서는 이러한 요소가 큰 경쟁력 중 하나다. 이를 위한 솔루션으로 등장한 것이 바로 차세대 D램, LPCAMM2다. *LPCAMM2: Low Power Compression Attached Memory Module  MAP 1. 차세대 메모리를 위한 진전의 기록  얇고 가벼운 노트북을 만들기 위해 그동안 많은 시도가 이루어졌고, 온보드형 메모리와 SO-DIMM 메모리를 사용해 왔다. *SO-DIMM: Small Outline Dual In-line Memory Module  SO-DIMM.. 2024. 5. 29.
[반도체 용어] 36G HBM3E 12H / shinebolt / HBM / TSV / TC-NCF / AGI / core die / bump HBM: High Bandwidth Memory   HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로, 고대역폭 메모리를 의미한다. 얇은 D램 칩을 수직으로 쌓아 올려 초거대 AI 모델이 요구하는 메모리의 성능과 용량을 만족시킨다. *대역폭(bandwidth): 메모리의 데이터 전송 속도를 의미한다. 대역폭이 높을 수록 한 번에 처리할 수 있는 데이터의 양이 많아짐 36GB HBM3E 12H(Shinebolt) D램은 삼성전자의 5세대 HBM으로 D램 칩을 TSV 기술로 12단까지 적층한 메모리로, 2024년 2월 최초로 개발에 성공했다. *TSV(Through-silicon Via): 실리콘 관통 전극 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공한다. 전 세대 HBM3 .. 2024. 5. 28.
[삼성전자 뉴스룸] 3차원V낸드 / 초거대 AI 시대의 랜드마크, 삼성전자 V낸드 삼성전자는 지난달 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 9세대 V낸드’ 양산을 시작하며낸드플래시 시장에서 리더십을 공고히 했다. ‘9세대 V낸드’는 업계 최소 크기의 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold)* 두께가 구현되어 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도(Bit Density)*를 자랑한다. 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 간섭 현상*을 제어하고, 제품 속도와 소비 전력, 품질과 신뢰성을 높인 것이 특징이다. 낸드플래시 기술은 손톱보다 작은 공간에 수천억 개의 데이터 셀을 수직으로 쌓아 올린다.2002년부터 낸드플래시 시장에서 1위 자리를 지키고 있는 삼성전자는 최고 수준의 성능과 품질을 갖춘 제품으로업계를 주도해 나가고 있다. 2006년 .. 2024. 5. 25.
[반도체 용어] 초거대AI / HBM / HBME / TSV / CoW / TCB / GDDR HBM 차이 초거대AI 초거대 AI란 딥러닝으로 대용량 데이터를 스스로 학습해 인간처럼 종합적 추론이 가능한 차세대 AI를 말한다. 챗GPT가 인간과 유사한 수준으로 질문에 적절하게 응답하는 것도 파라미터(parameter, 매개 변수)가 1,750억 개에 달하는 수많은 데이터를 학습한 언어모델이기 때문이다.   ‘챗GPT’, ‘DALL·E’, ‘Bard’의 등장과 같이 AI 서비스 종류가 다양해지고 고도화될수록, 메모리 반도체가 수행해야 할 역할도 더욱 확장되고 있다. AI 서비스를 원활하게 구현하려면 대량의 데이터를 기반으로 여러 연산을 동시에 빠르게 수행하는 능력이 필요하기 때문이다. 이러한 상황에서 반도체 업계는 ‘AI 서비스와 함께 폭발적으로 증가하는 데이터를 어떻게 효율적이고, 빠르게 처리할 것인가’에 대.. 2024. 5. 25.
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