[삼성전자 뉴스룸] 3차원V낸드 / 초거대 AI 시대의 랜드마크, 삼성전자 V낸드

 

삼성전자는 지난달 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell)* 9세대 V낸드’ 양산을 시작하며낸드플래시 시장에서 리더십을 공고히 했다. ‘9세대 V낸드’는 업계 최소 크기의 셀(Cell)과 최소 몰드(Mold)* 두께가 구현되어 이전 세대보다 약 1.5배 높은 비트 밀도(Bit Density)*를 자랑한다. 셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 간섭 현상*을 제어하고, 제품 속도와 소비 전력, 품질과 신뢰성을 높인 것이 특징이다.

 

낸드플래시 기술은 손톱보다 작은 공간에 수천억 개의 데이터 셀을 수직으로 쌓아 올린다.

2002년부터 낸드플래시 시장에서 1위 자리를 지키고 있는 삼성전자는 최고 수준의 성능과 품질을 갖춘 제품으로

업계를 주도해 나가고 있다. 2006년 삼성전자 삼성전자가 세계 최초로 개발한'2차원 CFT(Charge Trap Flash)'구조는 전류가 흐르지 않는 부도체에 전하를 저장하는 방식으로 기존 플로팅 게이트(Floating Gate) 구조의 한계를 극복했다.

 

* TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조
* 몰드(Mold): 셀을 동작시키는 워드 라인(트랜지스터의 on/off를 담당하는 배선)의 층
* 비트 밀도(Bit Density): 단위 면적당 저장되는 비트의 수
* 간섭 현상: 셀 간 간격이 좁아져 전자가 누설되거나 인접 셀이 영향을 받는 현상

 

 

 

이렇게 2차원 CTF 구조가 적용된 평면 낸드는 또 다시 미세화 한계에 봉착해, 2013년 8월 삼성전자는 세계 최초로 3차원 V낸드 기술을 활용해 양산에 성공했다. 평면의 데이터 공간 구조를 입체 구조로 변형시키는 기술이다. 이는 이후에 미지의 영역이던 1Tb(테라비트) 이사으이 고용량 낸드플래시 기술 개발을 위한 토대가 되었다.

 

삼성전자는 3차원 스케일링 기술을 통해 셀의 면적과 높이를 모두 감소시켜 나노 단위의 V낸드 공간 안에서 정교하고 튼튼한 초고층 데이터 빌딩들을 구현했다. 또한 압도적인 '채널 홀 에칭' 공정 기술력으로 9세대 V낸드도 더블스택 구조로 구현하며, 초격차 기술 리더십을 강화하고 있다.

 

삼성전자는 2002년 낸드플래시 메모리 분야에서 세계 1위에 오른 뒤, 시장을 선도하며 초격차 기술을 선보이고 있다. 긴 여정의 결실이라고 할 수 있는 9세대 V낸드에 이어, 삼성전자는 앞으로도 끊임없는 혁신과 첨단 메모리 기술 개발을 통해 정교한 미래를 설계해 나갈 예정이다.

 

 

 

출처:

1.https://bit.ly/3QRK7vT

초거대 AI 시대의 랜드마크, 삼성전자 V낸드