[삼성전자] 2024년 상반기 보도자료 정리 - 2부

1. 삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대
2. 삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공
3. 삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산
4. 이재용 회장, ZEISS와 반도체 협력 강화 논의
5. 삼성전자, 2024년 1분기 실적 발표

 

1. 삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대

 

AWS 플래티넘 인증 획득한 DS부문 평택사업장 내부에 조성된 연못 사진 / AWS 플래티넘 인증 마크

 

- 삼성전자는 국제수자원관리동맹(AWS)으로부터 최고 등급인 ‘플래티넘’ 인증 사업장을 기존 1개에서 7개로 확대

*AWS(Alliance for Water Stewardship)

- AWS는 UN국제기구 UNGC와 CDP 등 국제단체가 설립에 동참한 글로벌 최대 규모 물관리 인증 기관으로,

  기업이 종합적인 수자원 관리 체계를 구축하고 있는지 평가함

*UNGC(UN Global Compact Network): 유엔글로벌콤팩트
*CDP(Carbon Disclosure Project): 탄소 공개 프로젝트

- ▲안정적인 물 관리 ▲수질오염물질 관리 ▲수질 위생 ▲유역 내 수생태계 영향 ▲거버넌스 구축 등

  총 100개 항목 평가 결과에 따라 최고 등급인 플래티넘에서 골드, 코어까지 3단계로 구분된다.

- 삼성전자 DS는 2023년 3월에 화성캠퍼스가 처음으로 ‘플래티넘’ 인증을 받은 데 이어,

  올해 기흥, 평택캠퍼스와 중국 시안까지 확대해 총 4개 반도체 사업장이 인증을 취득, 수자원 관리 체계의 우수성을 입증

- 또한 천안, 온양사업장 인증을 추진하여 연내에 국내 반도체 전 사업장 플래티넘 등급 취득을 완료하고

  이후 해외사업장까지 확대할 계획

- 삼성전자의 7개 사업장이 AWS 플래티넘 인증을 받은 것은

  ▲사업장 용수 사용량 절감 ▲방류수 수질 관리 ▲물 관련 리스크 분석∙저감 활동

  ▲공공기관, 이해관계자, NGO 등과의 물 협의체 구축 등 지속적인 수자원 관리 노력이 인정받은 결과

 

2. 삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공

LPDDR5X

 

 

- 업계 최고 동작속도의 10.7Gbps LPDDR5X D램 개발, 저전력∙고성능 D램 시장에서의 기술 리더십을 재확인

  * Gbps(Gigabit per second): 1초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터
  * LPDDR5X: Low Power Double Data Rate 5X

- 기기 자체에서 AI를 구동하는 ‘온디바이스 AI(On-device AI)’ 시장이 확대, 저전력∙고성능 LPDDR의 역할 중요성 대두

- 이번 제품은 12나노급 LPDDR D램 중 가장 작은 칩으로 구현한 저전력∙고성능 메모리 솔루션으로 온디바이스 AI 시대에 최적화

- 향후 모바일 분야를 넘어 ▲AI PC ▲AI 가속기 ▲서버 ▲전장 등 다양한 응용처에 확대 적용될 것으로 기대됨

- 전 세대 제품 대비해서는 ▲성능 25% ▲용량 30% 이상 각각 향상, 모바일 D램 단일 패키지로 최대 32기가바이트(GB)를 지원

- 저전력 특성을 강화하기 위해 성능과 속도에 따라 전력을 조절하는 ‘전력 가변 최적화 기술’과 ‘저전력 동작 구간 확대 기술’등을 적용해

  전 세대 제품보다 소비전력을 약 25% 개선했다.

  * 전력 가변 최적화 기술: 전력 절감 기술 중 하나,

    프로세서에 공급되는 전압과 주파수를 동적으로 변경하여 성능과 전력소모를 함께 조절하는 기술
  * 저전력 동작 구간 확대 기술: 저전력으로 동작하는 저주파수 구간을 확대하여 전력소모를 개선하는 기술

- 모바일 기기에서 더 긴 배터리 사용 시간을 제공, 서버에서는 데이터를 처리 소요 에너지를 감소, 총 소유 비용(TCO) 절감이 가능

- 삼성전자는 LPDDR5X D램을 모바일 애플리케이션 프로세서 및 모바일 업체와의 협업을 통해 제품 검증 후 하반기 양산할 예정

 

3. 삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산

9세대 V낸드

- 업계 최초로 ‘1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 9세대 V낸드’ 양산해 낸드플래시 시장에서의 리더십을 공고히 했다.

  * TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

- 업계 최소 크기 셀(Cell), 몰드(Mold) 두께를 구현해 ‘1Tb TLC 9세대 V낸드’의 비트 밀도(Bit Density)가 이전 세대 대비 약 1.5배 증가

  * 비트 밀도(Bit density): 단위 면적당 저장되는 비트(Bit)의 수

- 더미 채널 홀(Dummy Channel Hole)제거 기술로 셀의 평면적을 줄이고, 셀의 크기를 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하기 위해

  셀 간섭 회피 기술, 셀 수명 연장 기술을 적용해 제품 품질과 신뢰성을 높였다.

  * 더미 채널 홀 (Dummy Channel hole): Cell Array에서 Plane을 구분하기 위해 만들어진 동작을 수행하지 않는 채널 홀

- 삼성전자의 ‘9세대 V낸드’는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수 제품으로,

  ‘채널 홀 에칭(Channel Hole Etching)’ 기술을 통해 한번에 업계 최대 단수를 뚫는 공정 혁신을 이뤄 생산성 또한 향상됨

  *‘채널 홀 에칭’이란 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술로 특히,

    적층 단수가 높아져 한번에 많이 뚫을수록 생산효율 또한 증가하기 때문에 정교화∙고도화가 요구됨

- ‘9세대 V낸드’는 차세대 낸드플래시 인터페이스인 ‘Toggle 5.1’이 적용돼 8세대 V낸드 대비 33% 향상된 최대 3.2Gbps의

  데이터 입출력 속도를 구현함. 삼성전자는  PCIe 5.0 인터페이스를 지원하고 고성능 SSD 시장을 확대해 낸드플래시 기술 리더십을 공고히 할 계획임.

  * Toggle DDR: 낸드플래시 인터페이스 규격으로, 1.0은 133Mbps, 2.0은 400Mbps, 3.0은 800Mbps,

    4.0은 1.2Gbps, 5.0은 2.4Gbps, 5.1은 3.2Gbps의 입출력 속도를 지원
  * PCIe(Peripheral Component Interconnect Express): 기존 SATA 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격
  * PCIe 5.0: 기존 PCIe 4.0 대비 대역폭이 2배로 커진 32GT/s를 지원하는 차세대 PCIe 통신규격

- ‘9세대 V낸드’는 저전력 설계 기술을 탑재하여 이전 세대 제품 대비 소비 전력이 약 10% 개선됐다.

   환경 경영을 강화하면서 에너지 비용 절감에 집중하는 고객들에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대됨

- 삼성전자는 9세대 V낸드를 통해 AI 시대에 대응하는 초고속, 초고용량 SSD 시장을 선도해 나갈 것이라고 밝혔다.

- 삼성전자는 ‘TLC 9세대 V낸드’에 이어 올 하반기 ‘QLC(Quad Level Cell) 9세대 V낸드’도 양산할 예정으로,

  AI시대에 요구되는 고용량∙고성능 낸드플래시 개발에 박차를 가할 계획임.

  * QLC(Quad Level Cell): 하나의 셀에 4bit 데이터를 기록할 수 있는 구조

 

 

 

4. 이재용 회장, ZEISS와 반도체 협력 강화 논의

 

- 이재용 삼성전자 회장은 2024년 4월 26일, 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를 방문해

   칼 람프레히트(Karl Lamprecht) CEO 등 경영진과 양사 협력 강화 방안을 논의했다.

- 자이스는 첨단 반도체 생산에 필수적인 EUV(extreme ultraviolet) 기술 관련 핵심 특허를 2천개 이상 보유하고 있는 글로벌 광학

   기업으로, ASML의 EUV 장비에 탑재되는 광학 시스템을 독점 공급하고 있다. EUV 장비 1대에 들어가는 자이스 부품은 3만개 이상이다.

- 이 회장은 자이스 경영진과 반도체 핵심 기술 트렌드 및 양사의 중장기 기술 로드맵에 대해 논의했으며,

  자이스의 공장을 방문해 최신 반도체 부품 및 장비가 생산되는 모습을 직접 살펴봤다.

- 자이스 본사 방문에는 송재혁 삼성전자 DS부문 CTO, 남석우 삼성전자 DS부문 제조&기술담당 사장 등

   반도체 생산기술을 총괄하는 경영진이 동행했다.

- 삼성전자와 자이스는 파운드리와 메모리 사업 경쟁력을 강화하기 위해 향후 EUV 기술 및 첨단 반도체 장비 관련 분야에서의 협력을 더욱    확대하기로 했다.

- 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세공정 시장을 주도하고,

  연내에 EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을 양산할 계획이다.

- 삼성전자는 자이스와의 기술 협력을 통해 차세대 반도체의 ▲성능 개선 ▲생산 공정 최적화 ▲수율 향상을 달성해 사업 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것으로 기대된다.

- 자이스는 2026년까지 480억원을 투자해 한국에 R&D 센터를 구축할 방침으로, 자이스가 한국 R&D 거점을 마련함에 따라 양사의 전략적 협력은 한층 강화될 전망이다.

- 삼성전자는 메모리반도체에 이어 시스템반도체 분야에서도 확고한 사업 경쟁력을 확보하기 위해 미래 투자를 지속하고 있다.

- 2023년 역대 최대 파운드리 수주 잔고를 달성한 삼성전자는 ▲3나노 이하 초미세공정 기술 우위 지속 ▲고객사 다변화

  ▲선제적 R&D 투자 ▲과감한 국내외 시설 투자 ▲반도체 생태계 육성을 통해 파운드리 사업을 미래 핵심 성장동력으로 키워나가고 있다.

- 전작에 비해 AI 성능이 약 15배 이상 향상된 모바일 AP ‘엑시노스 2400’은

  삼성의 플래그십 스마트폰 갤럭시 S24에 탑재돼 매출이 큰 폭으로 증가할 것으로 예상된다.

- 이미지센서 분야에서는 지난해 12월 출시한 ‘아이소셀 비전 63D’ 등 다양한 제품을 양산하며 업계 1위 기업을 맹추격하고 있으며,     DDI(Display Driver IC, 디스플레이구동칩) 시장에서는 21년째 세계 1위를 유지하고 있다.

- 삼성은 NPU(Neural Processing Unit, 인간의 뇌를 모방한 신경망처리장치) 사업도 본격적으로 육성하며 시스템반도체 사업 영역을

  확장하고 있다.

5. 삼성전자, 2024년 1분기 실적 발표

- 삼성전자는 연결 기준으로 매출 71.92조원, 영업이익 6.61조원의 2024년 1분기 실적을 발표했다.

- 전사 매출은 플래그십 스마트폰 갤럭시 S24 판매 호조 및 메모리 시황 개선에 따른 판가 상승으로

   전분기 대비 6% 증가한 71.92조원을 기록했다. 

- 영업이익의 경우 전분기 대비 3.78조원 증가한 6.61조원을 기록했다.

- IT 시황이 회복되는 가운데 메모리가 고부가 제품 수요 대응으로 흑자 전환했고 MX도 플래그십 스마트폰 판매 호조로 이익이 증가했다.

- 미래 성장을 위한 적극적인 연구개발 투자를 지속하며 분기 최대 7.82조원의 연구개발비를 기록했다.

- 1분기 환영향 관련 원화가 주요 통화 대비 전반적인 약세로 전분기 대비 전사 영업이익에 약 0.3조원 긍정적 효과가 있었다. 

 

[1분기 실적]

□ DS(Device Solutions)부문 매출 23.14조원, 영업이익 1.91조원

- 메모리는 지속적인 가격 상승에 대한 시장 기대감으로 전반적인 구매 수요가 강세를 보였고 

  지난 분기에 이어 DDR5(Double Data Rate 5) 및 고용량 SSD(Solid State Drive) 수요 강세가 이어졌다. 

- 삼성전자는 ▲HBM(High Bandwidth Memory) ▲DDR5 ▲서버SSD ▲UFS4.0(Universal Flash Storage 4.0) 등

  고부가가치 제품 수요에 대응하며 질적 성장을 실현했고 메모리 사업은 흑자 전환됐다. 

- 시스템 LSI는 주요 고객사 신제품용 SoC(System on Chip), 센서 등 부품 공급은 증가했으나 

  패널 수요 둔화에 따른 DDI(Display Driver IC) 판매 감소로 실적 개선은 예상 대비 둔화됐다.

- 파운드리는 주요 고객사 재고 조정이 지속되면서 매출 개선은 지연되었으나 효율적 팹(FAB) 운영을 통해 적자폭은 소폭 축소됐다. 

  삼성전자는 4나노 공정 수율을 안정화하고 주요 고객사 중심으로 제품 생산을 크게 확대했으며 첨단 공정 경쟁력 향상으로

  역대 1분기 최대 수주실적 기록을 달성했다. 

 

[2분기 전망]

□ DS부문

- 메모리는 생성형 AI 관련 수요 견조세가 지속되는 가운데 일반(Conventional) 서버 및 스토리지 중심으로 수요 개선이 전망되고

  시장 가격도 전반적으로 상승할 것으로 전망된다. 

- 삼성전자는 생성형 AI 수요 대응을 위해 HBM3E 8단 양산을 4월에 시작했으며 12단 제품도 2분기 내 양산할 계획이다. 

- 1b나노 32Gb(기가비트) DDR5 기반 128GB(기가바이트) 제품의 2분기 양산 및 고객 출하를 통해 서버 시장 내 리더십을 강화할 계획

- 낸드는 2분기 중 초고용량 64TB SSD 개발 및 샘플 제공을 통해 AI용 수요에 적기 대응하고 업계 최초로 V9 양산을 개시해 기술 리더십    또한 제고해 나갈 방침이다. 

- 시스템LSI는 스마트폰 판매가 회복세를 보임에 따라 플래그십 SoC 및 센서의 안정적 공급에 집중하면서 첨단 공정 기반의

  신규 웨어러블용 제품 출하도 준비할 계획이다.

- 파운드리는 고객사 재고 조정이 마무리되고 라인 가동률이 개선됨에 따라 2분기에는 전분기 대비 두 자릿수 매출 성장을 기대하고 있다. 

- 삼성전자는 2나노 설계 인프라 개발을 완료하고 14나노, 8나노 등 성숙 공정에서도 다양한 응용처에 제공되는 인프라를 준비해

  고객 확보에 매진할 방침이다. 

 

[하반기 전망]

□ DS 부문

- 메모리는 하반기에도 생성형 AI를 중심으로 수요 강세를 보일 것으로 전망된다. 

- HBM의 경우 생산능력(CAPA) 확대와 함께 공급을 지속 늘려나갈 예정이다.

- 고용량 제품에 대한 수요 증가세에 맞춰 업계 최초로 개발한 HBM3E 12단 제품의 램프업(Ramp-up)을 가속화할 예정이다. 

- D램은 1b나노 32Gb DDR5 제품을 빠른 속도로 도입하고, AI 서버와 연계된 고용량 DDR5 모듈 시장에서의 경쟁력을 강화할 예정'

- 낸드는 V8 기반 Gen5 SSD 등을 통해 서버용 고부가가치 수요에 적극 대응하고,

  3분기에 V9 QLC(Quadruple Level Cell) 양산을 통해 기술 리더십을 더욱 공고히 할 계획이다. 

- 시스템LSI는 부품 가격 압박 등의 영향으로 스마트폰 제품별로 다양한 방향의 스펙 조정이 예상되는 가운데, 

  삼성전자는 유기적인 부품 믹스 조정을 통해 이러한 시장 변화에 적극 대응할 방침이다.

- 파운드리 전체 시장 성장은 제한적이지만 삼성전자는 5나노 이하 첨단 노드 매출 증가로 올해 매출이 시장 성장률을 상회할 것으로 예상

- 2나노 공정 성숙도를 개선하여 AI/HPC(High Performance Computing) 등 고성장 응용처 중심으로 수주 확대를 추진할 계획

 

[지속가능경영]

- 삼성전자는 2023년 MSCI ESG 평가에서 국내 ICT 업계 최고 수준인 ‘AA’ 등급을 달성했다.

- 사회, 지배구조 부문 평가 점수가 큰 폭으로 상승하며 전체 등급이 전년 대비 한 단계 상승했다.

- 글로벌 인재 양성, 책임광물 등 자원 조달 정책 및 기업 지배구조 부문에서 점수가 개선됐다.

- 또한, 지난해 화성캠퍼스에 이어 올해 기흥∙평택∙수원∙구미∙광주 사업장과 중국 시안까지 ‘국제수자원관리동맹(AWS)’의 최고 등급인    ‘플래티넘’ 인증을 획득하며, 수자원 관리체계의 우수성을 입증했다.

- 삼성전자 DS부문은 2030년까지 취수량 증가 제로화, DX부문은 수자원 사용량 100% 환원 목표 달성을 위해

  정부기관 및 지자체와의 MOU 체결 등 다양한 노력을 지속하고 있다.

 

 

 

 

출처:

1. https://bit.ly/3x4H1O0

삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대

2. https://bit.ly/3U1D44r

삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공

3. https://bit.ly/3Jxm8hC

삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산

4. https://bit.ly/4dt3s0a

이재용 회장, ZEISS와 반도체 협력 강화 논의

5. https://bit.ly/44pqn8y

삼성전자, 2024년 1분기 실적 발표