[삼성전자] 2024년 상반기 보도자료 정리 - 1부

1. 삼성전자, 성능과 범용성 모두 갖춘 소비자용 SSD ‘990 EVO’ 출시
2. 삼성전자, 2023년 4분기 실적 발표
3. 삼성전자-Arm 협력 확대로 GAA 공정 기술 경쟁력 고도화
4. 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발
5. 삼성전자, 업계 최초 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발

 

1. 삼성전자, 성능과 범용성 모두 갖춘 소비자용 SSD ‘990 EVO’ 출시

990 EVO

 

- 성능과 범용성을 모두 갖춘 소비자용 SSD 신제품 ‘990 EVO’ 출시

- ‘990 EVO’는 뛰어난 성능과 합리적인 가격으로 폭넓은 사용자층에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대됨

- 전작 ‘970 EVO Plus’ 대비 ▲속도 ▲전력효율 ▲기술력 모두 향상됨

- 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 5,000 MB/s, 4,200 MB/s로 전작 대비 각각 43%, 30% 향상, 대용량 파일에 빠르게 접근 가능

  ※ 연속 읽기 속도: 스토리지 메모리에 이미 저장된 데이터를 연속적으로 불러오는 속도

  ※ 연속 쓰기 속도: 스토리지 메모리에 데이터를 연속적으로 저장하는 속도

- 자체 개발한 5나노 신규 컨트롤러를 소비자용 SSD에 처음 탑재, 전력 효율을 최대 70%까지 개선

- 제품 내부 D램 탑재 없이 PC의 D램과 직접 연결하는 호스트 메모리 버퍼(Host Memory Buffer, HMB) 기술을 적용

  * 호스트 메모리 버퍼: 호스트 PC의 메모리를 디바이스가 사용할 수 있도록 할당 및 해제하는 기능

- PCIe 4.0와 함께 PCIe 5.0 x2도 지원해 차세대 인터페이스에 대한 사용자의 요구를 충족시켰다.

  * PCIe(Peripheral Component Interconnect Express):

   기존 SATA(Serial Advanced Technology Attachment) 전송 속도의 성능 한계를 극복한 고속 인터페이스 규격

-  PC 시스템 인터페이스에 따라 자동 전환돼 호환성과 안정성이 우수하며, PCIe 5.0 기반 초슬림형 노트북에도 성능 저하 없이 사용 가능

- 삼성 매지션(Samsung Magician) 8.0을 통해 데이터 마이그레이션, 펌웨어 업데이트, 데이터 보호 등의 기능 제공

 * 삼성 매지션: SSD 지원 소프트웨어 

 * 데이터 마이그레이션(Data Migration):

  사용자가 손쉽게 기존 디스크의 데이터를 신규 SSD로 복사할 수 있도록 매지션에서 지원하는 기능

- 열 분산 라벨이 제품의 열을 효과적으로 배출시켜 드라이브 성능 저하 없이 최상의 상태를 유지

  * 열 분산 라벨: 제품 동작 중 내부 부품에서 발생하는 열을 배출하기 위해 별도 부착된 금속 라벨

 

2. 삼성전자, 2023년 4분기 실적 발표

 

- 매출 67.78조원, 영업이익 2.82조원의 2023년 4분기 실적을 발표

- 2023년 연간으로는 매출 258.94조원, 영업이익 6.57조원을 기록

- 4분기 스마트폰 출하량 감소, 메모리 가격 상승, 디스플레이(프리미엄) 판매 호조. 전사 매출 전분기 대비 0.6% 증가, 67.78조원을 기록 

- 영업이익의 경우 세트 제품 경쟁이 심화되고 플래그십 스마트폰 출시 효과가 감소, 메모리 실적 큰 폭으로 개선, 디스플레이 호실적 지속     -> 전분기 대비 0.39조원 증가한 2.82조원을 기록

- 적극적인 연구개발 투자 지속, 분기 최대 7.55조원의 연구개발비를 기록 

- 4분기 주요 신흥국 통화가 전반적으로 평균 환율 변동이 크지 않아 전분기 대비 전사 영업이익에 대한 영향은 미미

 

□ DS(Device Solutions)부문 매출 21.69조원, 영업이익 -2.18조원

 - 메모리 고객사 재고 정상화 가운데 PC 및 모바일 제품의 메모리 탑재량 증가,

   생성형 AI 서버 수요 증가로 전반적인 수요 회복세

 - 삼성전자는 고부가가치 제품 판매를 확대하는 기조 아래

  ▲HBM(High Bandwidth Memory)

  ▲DDR5(Double Data Rate 5)

  ▲LPDDR5X(Low Power Double Data Rate 5X)

  ▲UFS4.0(Universal Flash Storage 4.0) 등 첨단공정 제품 판매를 대폭 확대

- 그 결과 시장을 상회하는 비트 그로스(Bit Growth, 비트 단위로 환산한 생산량 증가율)를 기록,

  D램은 재고 수준이 큰 폭으로 개선돼 4분기 D램 흑자 전환을 달성

- 시스템LSI는 스마트폰 재고 조정이 마무리되며 부품 구매 수요가 증가, ‘엑시노스 2400’이 주요 고객사 플래그십 모델에 적용되며

   3분기 대비 매출과 손익이 모두 개선

- 파운드리는 고객사 재고 조정과 글로벌 경기 회복이 지연되면서 시장 수요가 감소해 실적 부진이 지속됐으나

  2023년 연간 최대 수주 실적 달성으로 미래 성장 기반을 공고히 했다.

- 3나노 및 2나노 GAA(Gate All Around) 기술을 지속 개발, 첨단 공정 기반 사업을 확장,

  고성능컴퓨팅(High Performance Computing, HPC) 중심으로 판매 비중 및 신규 수주가 증가

 

3. 삼성전자-Arm 협력 확대로 GAA 공정 기술 경쟁력 고도화

- 삼성전자 파운드리 사업부가 글로벌 반도체 설계 자산(IP, Intellectual Property) 회사 Arm의 차세대 SoC 설계 자산을

   자사의 최첨단 GAA(Gate-All-Around) 공정에 최적화하여 양사 간 협력을 강화함

- Arm과의 협력을 통해 팹리스 기업의 최첨단 GAA 공정에 대한 접근성을 높이고, 차세대 제품 개발 소요 시간과 비용을 최소화할 계획

- 삼성전자는 팹리스 고객들에게 최선단 GAA 공정 기반 초고성능, 초저전력 Cortex-CPU를 선보이겠다고 함

- 양사 간 협업으로 팹리스 고객들은 생성형 AI 시대에 걸맞는 SoC 제품 개발 과정에서 Arm의 최신형 CPU 접근이 용이해짐

- Arm의 차세대 Cortex-X CPU는 우수한 성능과 전력효율로 최고의 소비자 경험을 제공할 것으로 기대됨

- 삼성전자와 Arm의 협력은 팹리스 기업에게 적기에 제품을 제공하며,

  우수한 PPA (Power: 소비전력, Performance: 성능, Area: 면적)를 구현하는 것에 초점을 맞춤

- 양사는 협력 초기부터 설계와 제조 최적화를 동시에 처리하는 DTCO(Design-Technology Co-Optimization)를 채택,

  Arm의 최신 설계와 삼성전자의 GAA 공정의 PPA 개선 효과를 극대화

- 생성형 AI는 제품의 핵심 요소로, 삼성전자의 GAA 공정을 기반으로 Arm의 차세대 Cortex-X CPU의 접근성을 극대화

 

4. 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발

HBM3E 12H D램

 

- 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM) 12H(High, 12단 적층) D램 개발에 성공, 고용량 HBM 시장 선점

  *HBM: 고대역폭 초고속 메모리 (High Bandwidth Memory), 고성능 컴퓨팅(HPC)에 최적화

- 삼성전자는 24Gb(기가비트) D램 칩을 TSV(Through-Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층,

  업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현

  * 24Gb(기가비트) D램 용량 = 3GB(기가바이트)    
  * HBM3E 12H D램 용량 : 36GB (3GB D램 x 12)
  * TSV: 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 기술

- HBM3E 12H는 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해

  성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품

  * HBM3E 12H는 1,024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 10Gb를 속도를 지원함,

    초당 1,280GB를 처리할 수 있어 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 40여편을 업(다운)로드 할 수 있는 속도

- 삼성전자는 ‘Advanced TC NCF'(Thermal Compression Non Conductive Film, 열압착 비전도성 접착 필름) 기술로

  12H 제품을 8H 제품과 동일한 높이로 구현해 HBM 패키지 규격을 만족

- ‘Advanced TC NCF’ 기술을 적용하면 HBM 적층수가 증가하고,

  칩 두께가 얇아지면서 발생할 수 있는 ‘휘어짐 현상’을 최소화해 고단 적층 확장에 유리하다.

- 삼성전자는 NCF 소재 두께도 지속적으로 낮춤으로써, 업계 최소 칩간 간격인 ‘7마이크로미터(μm)’를 구현

  이를 통해 HBM3 8H 대비 20% 이상 향상된 수직 집적도를 실현

- 칩과 칩사이를 접합하는 공정에서 신호 특성이 필요한 곳은 작은 범프를, 열 방출 특성이 필요한 곳에는 큰 범프를

  목적에 맞게 사이즈를 맞춰 적용, 크기가 다른 범프 적용을 통해 열 특성을 강화하는 동시에 수율도 극대화

 * 범프(Bump): 칩 사이를 전기적으로 연결하기 위해 형성한 전도성 돌기를 통칭

- NCF로 코팅하고 칩을 접합해 범프 사이즈를 다양하게 하고 동시에 공극(Void)없이 적층하는 업계 최고 수준의 기술력을 선보임

- HBM3E 12H는 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 최고의 솔루션이 될 것으로 기대됨

- 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 GPU 사용량이 줄어

  기업들이 총 소유 비용(TCO, Total Cost of Ownership)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있는 것도 큰 장점

- Ex) 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용: HBM3 8H를 탑재할 때 보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도 향상이 가능,

         추론의 경우에는 최대 11.5배 많은 AI 사용자 서비스가 가능할 것으로 기대됨

* 동일 GPU 인프라 조건에서 내부 데이터와 시뮬레이션을 기반으로 산출한 값

 

5. 삼성전자, 업계 최초 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발

256GB SD익스프레스 마이크로SD카드

 

- 고성능 SD 익스프레스 인터페이스 기반의 마이크로SD 카드를 개발, 고객사에 샘플 제공을 시작

  ※ SD 익스프레스: PCI익스프레스®(PCIe®)사양을 사용하는 신규 SD메모리카드용 인터페이스.

     2019년 2월 발표된 SD 7.1 사양 기준 985MB/s의 데이터 전송 속도를 제공

- 저전력 설계 기술과 펌웨어 최적화로 발열 등 마이크로SD 폼팩터 기반 제품 개발의 기술 난제를 해결,

  손톱 크기만한 폼팩터에서도 최고의 성능과 안정성을 구현해냄

- 이 제품은 SD 익스프레스 7.1 규격을 기반으로 마이크로SD 카드 최고 연속 읽기 성능인 초당 800 메가바이트(800MB/s)와

  256GB의 고용량을 제공하는 업계 최고 수준의 성능과 용량

  ※ 연속 읽기: 스토리지 메모리에 이미 저장된 영화 등을 불러오는 속도(MB/s)

- 연속 읽기 800MB/s는 4GB 크기 영화 한 편을 메모리카드에서 PC로 5초 안에 전송할 수 있는 속도,

  기존 UHS-Ⅰ카드의 연속 읽기 200MB/s 대비 최대 4배까지 향상시켰다.

  ※ UHS-Ⅰ(Ultra High Speed-Ⅰ): 2009년 1월 제정된 기존 SD 메모리 카드에서 사용되는 규격

- SSD에 탑재했던 DTG(Dynamic Thermal Guard) 기술을 마이크로SD 카드에도 최초 적용해

  제품 온도를 최적 수준으로 유지시켜 소형 폼팩터에서 발생하는 발열 문제를 효과적으로 해결

  ※ DTG 기술: 특정 온도 이상으로 오르지 않도록 제품의 성능을 단계적으로 조절하여,

     과열 등으로 발생할 수 있는 데이터 신뢰성 문제, 갑작스러운 성능 하락을 방지하는 기술

 

최신 V낸드 기반 1TB 고용량 UHS-I 마이크로 SD카드

 

- 삼성전자는 최신 V낸드 기반 업계 최고 수준의 내구성을 갖춘 고용량 1테라바이트(1TB) UHS-Ⅰ마이크로SD 카드를 양산

- 최신 8세대 1테라비트(Terabit) 고용량 V낸드를 8단으로 안정적으로 쌓아 패키징하여

  기존 SSD에서 구현할 수 있었던 테라바이트급 고용량을 소형 폼팩터인 마이크로SD 카드에서도 구현

- 이 제품은 방수, 낙하, 마모, 엑스레이, 자기장, 온도 변화 등 극한의 외부 환경에서도 데이터를 안전하게 보호하며

  업계 최고 수준의 내구성을 갖춤

  ※ 데이터 보호 기능: 방수(1미터 깊이 수심에서 최대 72시간 방수), 낙하(최대 5미터 높이에서 낙하 손상 방지),

     마모(최대 10,000회 마모 방지), 엑스레이(공항 검색대와 동일한 최대 100mGy에서 210초 기준),

     자기장(MRI와 동일한 최대 15,000 가우스 30초 기준), 온도 변화(영하 25℃~영상 85℃)

 

 

 

 

 

 

 

 

출처: 삼성전자 뉴스룸

1. https://bit.ly/47GeCup

삼성전자, 성능과 범용성 모두 갖춘 소비자용 SSD ‘990 EVO’ 출시

2. https://bit.ly/3HFsOsT

삼성전자, 2023년 4분기 실적 발표

3. https://bit.ly/3UMwT6c

삼성전자-Arm 협력 확대로 GAA 공정 기술 경쟁력 고도화

4. https://bit.ly/4bR9C9k

삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발

5. https://bit.ly/4bVgYJe

삼성전자, 업계 최초 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발