728x90 반응형 반도체/반도체 용어13 [반도체 용어] 반도체 용어 훑어보기 / GAA / MBCFET / HBM / TSV / SSD / NAND플래시 / V낸드 삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 반도체 용어들을 다시 한 번 확인해보자!공부 자료 제공에 항상 감사드립니다. :)1. GAA Gate All Around, 전류가 흐르는 네 개의 면을 게이트가 둘러싸는 형태의 트랜지스터 구조 게이트에 전압이 가해지면 트랜지스터는 채널-소스-드레인을 통해 전자가 흐르면서 동작한다. 하지만 트랜지스터가 소형화 되며 소스와 드레인 간의 거리가 가까워져 누설전류가 발생하게 되고게이트도 짧아져 제 역할을 못한다. 단채널 현상(Short channel effect)는 전류의 흐름을 조절하는 게이트가 너무 짧아져 발생하는 현상을 일컫는다.이것을 방지하기 위해 1차원 Planar FET, 3차원FinFET를 통해 GAA구조로 발전했다.4개의 채널을 4개의 게이트로 감싸 더욱 확실한 전.. 2024. 8. 11. [반도체 용어] SRAM, DRAM, Nand Falsh 차이 SRAMDRAMNAND Falsh 이번 포스팅에서는 메모리반도체 SRAM, DRAM, NAND Flash의 차이에 대해서 알아보려고 한다. RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory)은 휘발성 메모리로임의의 주소에 접근(Random Access)할 때 걸리는 시간이 거의 동일하다는 뜻인데,어떤 위치의 메모리 주소에서 데이터를 읽고 쓰는 시간이 거의 동일하다는 의미이다. 사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치로, 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다. '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 책상.. 2024. 8. 2. [반도체 용어] UFS :: 고성능 저전력의 초소형 폼팩터 메모리 / eMMC / RPMB / UFS UFS : Universal Flash Storag고용량 소형화 저전력 기술 솔루션고속컨트롤러 + 낸드플래시 스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다.128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다. 최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다. MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재 UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다.플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리전원이 끊겨도 데이터를 전기적.. 2024. 7. 3. [반도체 용어] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 / DRAM / NAND Flash / SLC MLC TLC / 플로팅 게이트(Floating Gate) 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) : 기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000.. 2024. 6. 29. [반도체 용어] DDR5 / 삼성전자 DRAM 메모리 반도체 DRAM "DDR"DRAM: Dynamic Random Access Memory (동적 랜덤 엑세스 메모리), 임의 접근 기억 장치의 한 종류 DDR : Double Data Rate로, 다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는 솔루션 고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북 등 각 애플리케이션에 최적화 설계 DDR5 : 삼성전자의 12나노급 DRAM 초고속DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다. 대용량삼성의 12나노급 공정과 EUV 기술을 적용하여 최대 1TB 용량의 DDR5 메모리 .. 2024. 6. 29. [반도체 용어] CXL / PCle / CMM-D / 메모리 풀링 / MAP 1. 빅데이터 시대 속 데이터 처리의 새로운 길 인공 지능, 머신 러닝 등의 기술 발전으로 처리해야 할 데이터양이 폭증하면서, 고성능 CPU는 빠른 데이터 처리를 위해 단일 칩에 점점 더 많은 코어(Core)를 통합하고 있다. 특히 AI 서비스를 위한 고성능 CPU에는 100개가 넘는 코어가 존재한다. 코어 수가 증가할수록 각 코어를 담당할 충분한 메모리가 필요한데, 현재 위와 같은 상황으로 인해 고속 인터페이스를 사용하고 용량 확장이 용이한 메모리 제품에 대한 수요가 급증하고 있다. 그러나 기존에 사용되어 온 DDR 인터페이스 기반의 D램은한정된 범위 내에서만 용량을 확장할 수 있어 AI 서비스에 필요한 성능을 충족시키지 못했다. 이로 인해 기존 메모리 성능과 고성능 CPU 간에 격차가 생기면.. 2024. 6. 5. 이전 1 2 3 다음 728x90 반응형
