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반도체 용어3

[반도체 용어] 반도체 용어 훑어보기 / GAA / MBCFET / HBM / TSV / SSD / NAND플래시 / V낸드 삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 반도체 용어들을 다시 한 번 확인해보자!공부 자료 제공에 항상 감사드립니다. :)1. GAA Gate All Around, 전류가 흐르는 네 개의 면을 게이트가 둘러싸는 형태의 트랜지스터 구조  게이트에 전압이 가해지면 트랜지스터는 채널-소스-드레인을 통해 전자가 흐르면서 동작한다. 하지만 트랜지스터가 소형화 되며 소스와 드레인 간의 거리가 가까워져 누설전류가 발생하게 되고게이트도 짧아져 제 역할을 못한다. 단채널 현상(Short channel effect)는 전류의 흐름을 조절하는 게이트가 너무 짧아져 발생하는 현상을 일컫는다.이것을 방지하기 위해 1차원 Planar FET, 3차원FinFET를 통해 GAA구조로 발전했다.4개의 채널을 4개의 게이트로 감싸 더욱 확실한 전.. 2024. 8. 11.
[반도체 용어] UFS :: 고성능 저전력의 초소형 폼팩터 메모리 / eMMC / RPMB / UFS UFS : Universal Flash Storag고용량 소형화 저전력 기술 솔루션고속컨트롤러 + 낸드플래시  스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다.128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다. 최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다.  MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재 UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다.플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리전원이 끊겨도 데이터를 전기적.. 2024. 7. 3.
[반도체 용어] Fab, clean room, 클래스, FOUP, OHT Fab, clean room, 클래스, FOUP, OHT  FabFabrication을 줄인 말로 반도체 제조 시설 클린룸(Clean room) 반도체 생산라인 내부 클래스공간의 청정도를 나타내는 척도클래스는 가로, 세로, 높이가 각 1피트인 1입방피트 안에 0.5 마이크로미터 이상 크기의 입자 수가 얼마나 되는지를 나타냄Ex) 클린룸의 클래스가 1,000일때 0.5마이크로미터 이상 크기의 입자가 1,000개 이하인 공간 FOUP(Front Opening Unified Pod/Front Opening Universal Pod)웨이퍼를 보관하거나 안전하게 이동할 수 있게 고안된 용기로, 웨이퍼 배송 전용 상자 OHT(Overhead Hoist Transport)FOUP를 필요한 곳으로 이동시켜주는 배송 차.. 2024. 3. 9.
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