728x90 반도체 교육32 [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 / MFC / LP-CVD / Furnace 반도체 제조 공정 장비 운영(2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 산화 및 확산 공정 장비 구조- 반응 gas는 MFC를 통과하면서 지정된 양만큼 공급- 반응로의 상부로 반응 가스가 주입되면, 실리콘 웨이퍼 탑재영역을 통해 반응로의 하부로 배기됨 - Boat: 실리콘 웨이퍼를 탑재하는 장치- Torch: H₂ 와 O₂를 반응시켜 수증기를 발생시키는 장치- MFC(Mass Flow Controller): Gas의 유량을 조절하는 장치 LP-CVD 공정의 주요 모듈- 진공펌프: 반응로 내부를 저압 상태로 유지함- 압력조절장치(APC): 펌프와 반응로 사이에 있는 것으로 압력을 조절함- Tube: 진공을 유지하기 위한 Outer Tube / 반응 Gas의 흐름을 구분하기 위한 Inner Tube LP-CVD.. 2024. 6. 22. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (1) 확산공정 / 산화공정 / 열처리 공정 / LP-CVD 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(1) 확산공정 확산공정(Diffusion) 주요 공정은 세 가지로 나뉨 1. 산화공정(Oxidation) 2. 열처리 공정 3. LP-CVD 공정 1. 산화공정(Oxidation) 반응로에서 고온(800~1200도씨)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응을 시켜얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성시키는 공정 - 산화막 형성은 실리콘 집적회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용됨- 실리콘 공정에서는 열산화막이 많이 사용되고, 그 외 실리콘 기판 위에산화막을 형성시키는 방법은 산화막을 형성하는 온도에 따라 다양함- 실리콘 웨이퍼의 표면을 산소(또는 수증기)와 반응시켜 실리콘 산화막을 형성하는 것으로산화막의 두께 조절이 쉽고, 실리콘과 산화막 사이의 계면 특성.. 2024. 6. 22. 이전 1 ··· 3 4 5 6 다음 728x90
