[STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 / MFC / LP-CVD / Furnace

반도체 제조 공정 장비 운영
(2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈

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산화 및 확산 공정 장비 구조

- 반응 gas는 MFC를 통과하면서 지정된 양만큼 공급

- 반응로의 상부로 반응 가스가 주입되면, 실리콘 웨이퍼 탑재영역을 통해 반응로의 하부로 배기됨

 

- Boat: 실리콘 웨이퍼를 탑재하는 장치

- Torch: H₂ 와 O₂를 반응시켜 수증기를 발생시키는 장치

- MFC(Mass Flow Controller):  Gas의 유량을 조절하는 장치

 

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LP-CVD 공정의 주요 모듈

- 진공펌프: 반응로 내부를 저압 상태로 유지함

- 압력조절장치(APC): 펌프와 반응로 사이에 있는 것으로 압력을 조절함

- Tube: 진공을 유지하기 위한 Outer Tube / 반응 Gas의 흐름을 구분하기 위한 Inner Tube

 

LP-CVD 공정의 장비 구조

- 반응 가스가 MFC를 거쳐 반응로 하부로 주입, 실리콘 웨이퍼 탑재 영역을 지나 반응로 상부로 이동,

Inner Tube와 Outer Tube 사이를 거침, 펌프 쪽으로 배기

 

- APC(Auto Pressure Controller): Tube 내의 압력을 조절하는 장치

- 공정에 따라 Butterfly 방식, N₂ Ballast 방식으로 구분됨

- Inner Tube는 반응 Gas의 흐름을 구분하기 위한 석영관 (위가 오픈되어 있음)

- Outer Tube는 반응로 내부의 진공을 유지하고 반응로 내부를 외부 환경과 격리시키기위한 석영관

 

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Furnace의 종류

- 산화로의 형태에 따라 수평형 전기로, 수직형 전기로로 구분됨

- 수직형 전기로가 대량생산에 유리

 

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