[STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (14) CMP 주요 모듈

반도체 제조 공정 장비 운영
(14) CMP 주요 모듈

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CMP 장비 시스템 구성

 

1. CMP 구성 모듈

연두색이 로더

노란색이 로봇

 

2. CMP 장비 구성

회전하면서 연마제인 slurry 공급 

 

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CMP 장비 구성품

 

1. 웨이퍼 헤드와 플레이튼

 

2. 슬러리: 산화막 연마제

- 알칼리 수용액의 작용

물 분자의 산화막 표면 침투, 수화작용으로 Si-O 결합력 약화, 실리카 입자 표면의 실리콘에 연결된 수산기(OH)기와

산화막 표면의 수산기가 결합, 실리콘 표면의 Si-OH 결합, 실리카 입자의 물리적 마찰에 의해 산화막 표면의 Si-OH결합

, 실리카 입자의 물리적 마찰에 의해 산화막 표면의 Si-OH 결합이 이탈, 산화막 표면 제거

- 산화막용 연마액 : pH 10~12정도의 염기성인 KOH

- 연마제: 실리카 또는 세리아 계열을 주로 사용함 -> 전통적으로 유리 렌즈 가공에 많이 사용

 

 3. 슬러리: 금속막 연마제

- 금속막용 슬러리

희석된 산화제에 연마제가 분사됨

- 금속막 연마 모델: Kaufuman Model

산화제가 금속막 표면을 산화함, 산화된 금속막 표면을 연마제의 물리적 마찰에 의해 반복 제거 연마 진행

- 연마 대상 금속막: 텅스텐, 구리, 알루미늄

 

4. 패드: 폴리우레탄

 

5. 패드 컨디셔너: 다이아몬드 디스크로 패드를 문질러 연마