728x90 전체 글121 [STEP 한국기술대학] 반도체 장비 시설 운영 Part 2. - (2) PCW 장치 / Process Cooling Water 반도체 장비 시설 운영 Part 2.(2) PCW 장치PCW 장치 특징 및 구조 1. 냉동과 PCW의 개념 • 냉동(Refrigeration)어떤 물체의 온도를 인위적으로 주위온도보다 낮게 유지시켜서 차갑게(Chilled) 하거나 얼리는 것(Freeze) • 냉동기(Chiller) • PCW(Process Cooling Water) PCW 장치는 공정 냉각수를 만들어 주는 냉동기의 한 종류 2. 냉동 사이클과 냉동기의 동작원리 1) 냉동 사이클(Cycle)• 냉동 사이클을 이용하여 다양한 용도로 냉각 효과 활용• 공조설비나 다양한 냉동기 장비들을 다룰 때 기본적으로 다루어짐 냉동 사이클에 의해서 용도에 맞게 각 장비들의 내부 부품 구성 냉동기 장비들의 내부 구성도 및 동작원리 확인 시 매우 중요한 성분 .. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 장비 시설 운영 Part 2. - (1) 유틸리티 설비 개요 반도체 장비 시설 운영 Part 2.(1) 유틸리티 설비 개요반도체 공정 유틸리티 개요 1. 유틸리티의 정의와 기능 • 유틸리티(Utility)• 클린룸 내부의 생산장비 및 지원 시스템이 정상적으로 운전될 수 있도록 공급되거나 배출되는 매체 2. 유틸리티의 종류와 용도1) 가스 2) 화학물질(Chemical) 3) 진공(Vacuum)4) 물(Water)5) 전원(Power)6) 배기(Exhaust)7) 배수(Drain) 3. 유틸리티의 공급 배관 재질 조건• 유틸리티 배관의 재질은 상황에 따라 성능이 달라져야 함 1) 생산제품에 직접적으로 영향을 미치는 경우• 가스, 화학물질, DI Water- 고순도 및 내화학성이 요구되는 고순도 자재로, SUS 316LEP/BA 또는 PVDF/PFA 등 사용 2) .. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (16) CMP 장비 유지 보수 방법 반도체 제조 공정 장비 운영(16) CMP 장비 유지 보수 방법*PM 관련 사항은 전편 참고 CMP 장비 유지 보수 항목 1. PM 주기 및 항목- 소모성 파트- RPM(플레이튼, 헤드, 패드컨디셔너), 슬러리 유량, 압력(다운 포스, 배압, 디스크),각 구성품의 수명, 필터 등 2. 장비 유지보수 항목 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (15) CMP 장비에 의한 공정 불량 분석 반도체 제조 공정 장비 운영(15) CMP 장비에 의한 공정 불량 분석CMP 공정의 평탄화 1. 평탄화(Planarization)의 분류- 매끄러운 평탄화- 일부분 평탄화- 국부 평탄화- 광역 평탄화 2. 비평탄화단차를 가진 비평탄화된 상태 3. 매끄러운(smoothing) 평탄화스텝 모서리가 둥글고 측벽이 기울어진 상태 4. 광역(Global) 평탄화전체적인 스텝 높이가 균일화 되는 평탄화 CMP 이상발생 주요 변수 평탄도, 균일성, 연마속도, 패임&침식, 결함 1. 평탄도(Planarity)- 층간 절연막 CMP 공정에서 중요한 평가지표- 반도체 소자 내 세로가 주변회로 간의 광역적 단차 감소 정도로 표현- 관계 공정 변수: 연마 패드의 탄성 변형성, 슬러리 공급의 균일성, 디바이스의 패턴 형상, 연.. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (14) CMP 주요 모듈 반도체 제조 공정 장비 운영(14) CMP 주요 모듈CMP 장비 시스템 구성 1. CMP 구성 모듈연두색이 로더노란색이 로봇 2. CMP 장비 구성회전하면서 연마제인 slurry 공급 CMP 장비 구성품 1. 웨이퍼 헤드와 플레이튼 2. 슬러리: 산화막 연마제- 알칼리 수용액의 작용물 분자의 산화막 표면 침투, 수화작용으로 Si-O 결합력 약화, 실리카 입자 표면의 실리콘에 연결된 수산기(OH)기와산화막 표면의 수산기가 결합, 실리콘 표면의 Si-OH 결합, 실리카 입자의 물리적 마찰에 의해 산화막 표면의 Si-OH결합, 실리카 입자의 물리적 마찰에 의해 산화막 표면의 Si-OH 결합이 이탈, 산화막 표면 제거- 산화막용 연마액 : pH 10~12정도의 염기성인 KOH- 연마제: 실리카 또는 세리아 계.. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (13) CMP 주요 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(13) CMP 주요 공정CMP 공정 기술 화학적 기계적 방법으로 반도체 웨이퍼 패턴을 연마해서 광역 평탄화를 실행하는 것 1. CMP: Chemical Mechanical Polishing평탄화 공정 시 연마촉진제를 연마 장치에 공급해주면서 연마판(PAD)에서 반도체 패턴의 광역 평탄화 2. CMP 구성패드 속 폴리우레탄 적층구조 3. CMP의 목적 및 역할 적층구조로 인한 단차를 평탄화포토공정에서의 난반사를 방지 4. 평탄화 공정의 필요성다중 금속 층 배선-> 수많은 트랜지스터와 개별 IC 상의 필요 요소를 상호 연결-> 소자의 밀도를 가중시켜 과도한 표면 지형도 발생-> 표면 상의 굴곡이 심한 계단차 형성 계단차-> photo공정 노광기 렌즈의 초점 마진이 협소-> 표면 .. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (12) Cleaning 장비 유지 보수 방법 반도체 제조 공정 장비 운영(12) Cleaning 장비 유지 보수 방법예방 및 점검의 이해 PM: Preventive Maintenance 장비의 성능유지, 고장 방지 -> 수명 연장, 생산성 향상- 주기적인 예방 점검 항목 인지, 일정 절차에 따라 실시- 일지 작성- 원인 분석 미 영향 평가- 보고서 작성- 이상 발생 시 조치- 통계적 분석을 활용해야함 - Daily 일일 유지 보수 주기는 필요에 따라 변경할 수 있으며 문제 발생 시 점검을 해야함 - Monthly 유지 보수로드 락 모듈 각종 센서 및 게이지펌프 오일, 펌프 전류자 - 분기별 유지 보수가스 유량 등 확인 - 반기별 유지 보수 Half Year누수 확인, 구동부 단자 확인, Auto Door Safety Sensor 확인 - 연간 유.. 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (11) Cleaning 공정 불량 분석 반도체 제조 공정 장비 운영(11) Cleaning 공정 불량 분석Cleaning 공정 불량 분석 1. Residue공정이 진행됨에 따라 커짐온도에 따른 P/R Residue 제거에 대한 SEM 관찰 결과85도씨 정도에서 제거됨을 확인 2. CorrosionDIW Contents > 20% 영역에서 주로 발생3. Water Mark 4. Particle다양한 공정에서 발생 2024. 6. 25. [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (10) Cleaning 주요 모듈 반도체 제조 공정 장비 운영(10) Cleaning 주요 모듈1. Immersion Tank Type반도체 집적회로의 웨이퍼 표면을 세정하기 위한 화학적 습식 클리닝의 방법으로RCA 세정과 함께 발달해온 기본적인 세정 장치 방식 Batch Type으로 공정이 진행됨 각각 다른 chemcial을 다루는 많은 수가 있음 2. Centrifugal Spary TypeWafer가 Spray Column 주위를 빠른 속도로 회전하고, Spray Column에서 세정액을 분사시켜 세정하는 방식 Immersion Tank Type 과 Centrifugal Spary Type의 차이점 3. Closed System TypeWafer를 닫혀진 Vessel 내부에서 세정한다는 점에서 Centrifugal Spary T.. 2024. 6. 25. 이전 1 ··· 4 5 6 7 8 9 10 ··· 14 다음 728x90
