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[반도체 후공정] (2) 반도체 패키지의 정의와 역할 / 3차원 반도체 적층 / 플립 칩 / TSV / MCP / SiP 반도체 후공정(2) 반도체 패키지의 정의와 역할-SK하이닉스 뉴스룸#1. 반도체 패키지의 정의전자패키징 기술은 모든 전자제품의 하드웨어 구조물과 관련된 기술로서,하드웨어 구조물은 반도체와 같은 능동소자*와 저항, 캐패시터(Capacitor)**와 같은 수동소자***로 구성된다. 이렇듯 전자패키징 기술은 매우 폭넓은 기술이며, 0차 레벨 패키지부터 3차 레벨 패키지까지의 체계로 구분할 수 있다.은 실리콘 웨이퍼에서 단일 칩을 잘라내고, 이를 단품화하여 모듈(Module)을 만들고,모듈을 카드 또는 보드(Board)에 장착하여 시스템을 만드는 전체 과정을 모식도로 표현한 것이다. 이러한 과정 전체를 일반적으로 패키지 또는 조립(Assembly)이라고 광의적인 의미로 표현한다. 패키지레벨, 패키지의 체계 분류.. 2024. 7. 4.
[반도체 후공정] (1) 반도체 테스트의 이해 / EPM / 프루브 카드 / 리페어 / TDBI 반도체 후공정(1) 반도체 테스트의 이해-SK하이닉스 뉴스룸 반도체 공정은 웨이퍼를 제조하고 회로를 새기는 전공정, 칩을 패키징하는 후공정으로 나뉜다.이중 후공정은 반도체 미세화 기술이 한계점에 다다른 현시점에서 중요성이 점점 더 커지고 있다.특히, 새로운 부가가치를 만들 수 있는 핵심 기술로 주목받고 있다.#1. 반도체 후공정반도체 제품을 만들기 위해서는 먼저 원하는 기능을 할 수 있도록 칩(chip)을 설계해야 한다.그리고 설계된 칩을 웨이퍼(wafer) 형태로 제작해야 한다.웨이퍼는 칩이 반복 배열되어 있어서, 공정이 다 진행된 웨이퍼를 보면 격자 모양을 확인할 수 있다.격자 하나가 바로 한 개의 칩이다.칩의 크기가 크면 한 웨이퍼에서 만들어지는 칩의 개수가 적어질 것이다.반대로 칩의 크기가 작으면.. 2024. 7. 4.
[반도체 defect] 종류와 Insepction, 원인 분석 반도체 공정에서 발생하는 Defect   Defect의 종류 Random공정 환경 내 부유 먼지에 의해 발생하는 Defectrandom한 위치에 떨어지고 wafer 전면에 골고루 분포하는 특징 Systematic설비에서 발생하는 특정한 문제로 인해 먼지 또는 공정 parameter뒤틀림에 의한 불량,  random defect와 경계가 모호함 Paramatric공정 set-up의 문제 또는 설비에서 특정한 문제 발생으로 인해설계한 전기적 특성에서 벗어나는 불량systematic 불량과 마찬가지로 문제의 발생 원인에 따라 형태가 다르게 나타남  Defect 점검 도구 (Defect Inspection tool) Laser Scattering Inspection (dark field)- WF에 레이저를 조사.. 2024. 7. 4.
[반도체 뉴스] 삼성전자 언팩 예정일 / 2분기 영업이익 13배 / 차량용 칩 개발 속도 조절 / AI 칩에 집중 / 삼성전자 뉴스 정리 삼성전자 오는 10일갤럭시 언팩 예정서울은 11일 부터  삼성전자는 오는 10일 프랑스 파리에서 열리는 '갤럭시 언팩' 직후 신제품과 갤럭시 AI(인공지능)를 체험할 수 있는 공간을 제공한다고 4일 밝혔다.삼성전자는 대한민국 서울은 11일, 프랑스 파리, 미국 뉴욕, 독일 베를린, 일본 도쿄, 아랍에미리트 두바이, 인도네시아 자카르타는 10일부터 '갤럭시 익스피리언스 스페이스'를 운영한다. 갤럭시 익스피리언스 스페이스는 신제품과 갤럭시 AI가 선사하는 새로운 일상을 방문객들이 체험할 수 있도록 다양한 콘셉트의 공간으로 구성한다.국내에서는 더현대 서울, 롯데 에비뉴엘 잠실, 삼성스토어 홍대에 체험 공간 '갤럭시 스튜디오'를 마련한다. 공항을 주제로 꾸며진 공간에서 출국, 비행기 안에서의 엔터테인먼트 감상 .. 2024. 7. 4.
[8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (3) 모래로 웨이퍼 만들기 :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(3) 모래로 웨이퍼 만들기학습목표 웨이퍼 제작 공정에 대해 설명, 세정 방법과 산화막 형성 공정에 대해 설명 학습목차 1. 웨이퍼2. 세정3. 산화막 형성 1. 웨이퍼 웨이퍼의 크기가 클수록 생산되는 칩의 수 증가-> 80년대 4인치 -> 2010~ 12인치 칩 크기 변화시 공정 전체 변화가 수반됨. 웨이퍼의 특성Si 의 결정구조: FCC (Face Centered Cubic)  단위면적 당 원자수가 많아지면 산화속도는 증가하지만 식각 속도는 감소함단위면적 당 원자수가 적어지면 문턱전압에 영향을 주는 고정 전하가 줄어들기 때문에MOSFET의 기판으로는 100을 사용   8인치 이상은 스크라이브 라인을 잘 쓰지 않는다. 다만 플랫존간의 각도에 차이를 둬 표시할 수 있음.. 2024. 7. 4.
[반도체 뉴스] 삼성전자 2분기 실적 회복세 기대 / 삼성전자 실적 발표 예정 삼성전자 2분기 실적 회복세 기대 삼성전자 실적 발표 예정삼성전자, 5일 2분기 잠정 실적 발표반도체부문만 영업익 4~5조 전망 삼성전자가 조만간 내놓을 2분기 성적표에 업계 안팎의 관심이 쏠린다.반도체 경기의 회복 강도를 가늠해 볼 수 있기 때문이다.3일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 오는 5일 2분기 잠정 실적을 발표할 예정이다.회사는 결산이 종료되지 않은 상황에서 투자자들의 편의를 돕기 위해 한국채택 국제회계기준(IFRS)에 의거, 실적 추정치를 제공하고 있다.전망은 긍정적이다. 삼성전자는 지난해 반도체(DS)부문에서만 15조원에 달하는 연간 적자를 기록했으나, 시황 회복으로 올해 실적 개선세를 나타내고 있다.  1분기에도 매출 71조9200억원, 영업이익 6조6100억원을 기록하며 지난해 동기 대.. 2024. 7. 3.
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