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[반도체 용어] UFS :: 고성능 저전력의 초소형 폼팩터 메모리 / eMMC / RPMB / UFS UFS : Universal Flash Storag고용량 소형화 저전력 기술 솔루션고속컨트롤러 + 낸드플래시  스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다.128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다. 최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다.  MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재 UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다.플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리전원이 끊겨도 데이터를 전기적.. 2024. 7. 3.
[8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (2) Fab에 입장하다 :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(2) Fab에 입장하다학습목표반도체  8대 공정에 대해 설명할 수 있다, FAB의 구조에 대해 설명할 수 있다. 학습목차1. 8대 공정2. Fab 1. 8대 공정 1. 웨이퍼 제조 공정 웨이퍼의 재료는 주로 실리콘- 지구상에 양이 풍부함- 밴드갭이 크고 열적 안정성이 높음- 도핑에 유리함- 무독성- 산화막 특성이 우수 웨이퍼 제조 방법- 웨이퍼란?반도체를 성장시켜 만든 단결정 기둥을 얇게 썰어낸 원판 *단결정 기둥(잉곳):Czochralski Method(초크랄스키 기법)(CZ) -> 도가니를 사용한 방식 / 대부분 기업이 사용하는 방식Flat zone Growth(플랫존성장)-> RF코일을 이용, 도가니를 사용하지 않아 순도가 더 높음 / 다만 생산성이 떨어져기업보.. 2024. 7. 2.
[반도체 뉴스] 삼성전자 2분기 실적 발표 일정 / CXL 기대감 / TSMC와 2나노 혈투 삼성전자, 2분기 실적 발표 앞두고 주가 향방 주목 - 메모리반도체 가격 상승에 기대감高  삼성전자가 오는 5일 2분기 잠정실적을 발표할 예정이다. 금융투자업계에 따르면, 삼성전자의 2분기 영업이익은 8조원대로 예상되며,이는 시장의 컨센서스를 소폭 상회할 것으로 보인다. 메모리반도체의 가격 상승이 스마트폰 수익성 저하를 보완해줄 것으로 분석된다.최근 증권사들이 발표한 삼성전자 평균 목표 주가는 10만4240원으로, 이는 4월 말 이후 꾸준히 10만원 선을 유지하고 있다. DS투자증권의 이수림 연구원은 메모리 부문의 가격 상승이 매출 증가와 재고평가손 환입을 이끌어낼 것이라며,특히 낸드(NAND) 부문의 영업이익 개선이 두드러질 것이라고 전망했다.반면, 스마트폰 부문은 S24 판매량이 견조함에도 불구하고 .. 2024. 7. 2.
[8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (1) MOSFET이란? :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(1) MOSFET이란?학습목표 MOSFET의 동작 원리 설명, 메모리 산업에서 MOSFET의 중요성 설명 학습목차 1. 접합의 종류 - pn 접합, 금속-반도체 접합2. MOSFET -  구조, 동작 원리, scaling의 영향3. 메모리반도체 - 휘발성 메모리, 비휘발성 메모리   1. 접합의 종류 반도체: 도체와 부도체의 중간 영역에 속하는 전기적 성질을 갖는 물질진성 반도체: 열적 생성된 EHP가 캐리어로 작용외인성 반도체: 도핑을 통해 캐리어 농도 조절 가능 n type: 15족 원소(P,As)가 Dopant, Donor(전자주개)로 작용p type: 13족 원소(B)가 Dopant, Acceptor(전자받개)로 작용 외부 전계 인가 여부에 따라 Net Vel.. 2024. 7. 1.
[반도체 용어] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 / DRAM / NAND Flash / SLC MLC TLC / 플로팅 게이트(Floating Gate) 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) :  기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000.. 2024. 6. 29.
[반도체 용어] DDR5 / 삼성전자 DRAM 메모리 반도체 DRAM "DDR"DRAM: Dynamic Random Access Memory (동적 랜덤 엑세스 메모리), 임의 접근 기억 장치의 한 종류 DDR : Double Data Rate로, 다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는 솔루션 고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북 등 각 애플리케이션에 최적화 설계 DDR5 : 삼성전자의 12나노급 DRAM 초고속DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다. 대용량삼성의 12나노급 공정과 EUV 기술을 적용하여 최대 1TB 용량의 DDR5 메모리 .. 2024. 6. 29.
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