728x90 반응형 반도체109 [반도체 뉴스] ‘차기 HBM’ CXL, 삼성·SK하이닉스 CXL 시장 전망 ‘차기 HBM’ CXL, 삼성·SK하이닉스 기술개발 레이스 본격화 삼성전자와 SK하이닉스가 잇따라 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기술개발 청사진을 공개하고 있다. CXL은 AI반도체 성능향상에 핵심 역할을 하는 기술로, 차세대 고대역폭메모리(HBM)로도 꼽히는 기술이다.28일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 CXL 관련 여러 업체와 기술개발 검증 작업 속도를 높이고 있다.삼성은 지난 2021년 5월 세계 최초로 CXL 기반 D램 기술을 개발했다. 지난해 5월에는 CXL 2.0을 지원하는 128GB CXL D램을 개발했다며 연내 양산 계획을 밝혔다. 올해 2분기에는 CXL 2.0을 지원하는 256GB CMM-D(CXL D램) 제품을 공개했다.CXL은 시스템 내 메모리, 스토리지, 로직 반도체 등 장치별로 서.. 2024. 9. 1. [반도체 뉴스] SK하이닉스 10나노 6세대 DRAM '1c DDR' 개발 발표, AI 시대 선두하나? AI 시대 D램 초미세공정 경쟁…SK하이닉스 10나노 6세대 '선공'SK하이닉스, 세계 최고 '1c DDR' 개발 발표…연내 양산 준비 완료삼성전자도 연내 10나노 6세대 양산 계획…HBM 수요 폭증에 경쟁 가열 SK하이닉스가 세계 최초로 10나노급 6세대 D램 개발에 성공하면서 반도체업계의 미세공정 경쟁이 새로운 국면에 진입했다.인공지능(AI) 확산으로 고대역폭 메모리(HBM) 등 고성능 D램 수요가 급증하면서 극미세화된 메모리 공정 기술을 선점하려는 업계 경쟁이 치열해지고 있다.'10나노 6세대' 양산 시기 두고 신경전 예상 SK하이닉스는 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램 개발에 성공했다고 29일 밝혔다.2021년 7월부터 1a 기술이 적용된 D.. 2024. 9. 1. [반도체 용어] 반도체 용어 훑어보기 / GAA / MBCFET / HBM / TSV / SSD / NAND플래시 / V낸드 삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 반도체 용어들을 다시 한 번 확인해보자!공부 자료 제공에 항상 감사드립니다. :)1. GAA Gate All Around, 전류가 흐르는 네 개의 면을 게이트가 둘러싸는 형태의 트랜지스터 구조 게이트에 전압이 가해지면 트랜지스터는 채널-소스-드레인을 통해 전자가 흐르면서 동작한다. 하지만 트랜지스터가 소형화 되며 소스와 드레인 간의 거리가 가까워져 누설전류가 발생하게 되고게이트도 짧아져 제 역할을 못한다. 단채널 현상(Short channel effect)는 전류의 흐름을 조절하는 게이트가 너무 짧아져 발생하는 현상을 일컫는다.이것을 방지하기 위해 1차원 Planar FET, 3차원FinFET를 통해 GAA구조로 발전했다.4개의 채널을 4개의 게이트로 감싸 더욱 확실한 전.. 2024. 8. 11. [반도체 뉴스] 삼성전자, 업계 최소 두께 LPDDR5X D램 양산 삼성전자, 업계 최소 두께 LPDDR5X D램 양산삼성전자가 업계 최소 두께 12나노급 LPDDR5X D램 12∙16GB(기가바이트) 패키지 양산을 시작하며저전력 D램 시장에서의 기술 리더십을 확고히 했다. 이번 제품의 두께는 0.65mm로 현존하는 12GB 이상 LPDDR D램 중 가장 얇다. 삼성전자는 업계 최소 크기 12나노급 LPDDR D램을 4단으로 쌓고 패키지 기술, PCB 및 EMC 기술 등 최적화를 통해이전 세대 제품 대비 두께를 약 9% 감소, 열 저항을 약 21.2% 개선했다. * 4단(Stack) 구조: LPDDR D램 칩 2개가 1단으로 총 4개의 단으로 패키지 되어있는 구조* EMC(Epoxy Molding Compound): 수분,열,충격 등 다양한 외부환경으로부터 반도체 회로.. 2024. 8. 11. [반도체 뉴스]삼성전자, 고용량 1TB 마이크로SD 카드 2종 출시 삼성전자가 고용량 1TB(테라바이트) 마이크로SD 카드 2종 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’를 출시했다.이 제품은 업계 최고 용량인 1Tb(테라비트) TLC(Triple Level Cell) 8세대 V낸드를 8단으로 쌓아 패키징해테라바이트급 고용량을 구현하고, 제품 내구성을 강화했다. * TLC(Triple Level Cell): 하나의 셀에 3bit 데이터를 기록할 수 있는 구조 삼성전자가 2015년에 첫 출시한 ‘PRO Plus’와 ‘EVO Plus’ 라인업은▲용량 ▲속도 ▲안정성 ▲호환성을 모두 갖춘 마이크로SD 카드로,고성능∙고용량을 필요로 하는 사용자들에게 최적의 솔루션이다.▲게임 콘솔 ▲드론 ▲액션 카메라 ▲태블릿 등마이크로SD 카드 슬롯이 있는 모든 기기들과 호환 가능해 크리에이터,.. 2024. 8. 11. [반도체 용어] SRAM, DRAM, Nand Falsh 차이 SRAMDRAMNAND Falsh 이번 포스팅에서는 메모리반도체 SRAM, DRAM, NAND Flash의 차이에 대해서 알아보려고 한다. RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory)은 휘발성 메모리로임의의 주소에 접근(Random Access)할 때 걸리는 시간이 거의 동일하다는 뜻인데,어떤 위치의 메모리 주소에서 데이터를 읽고 쓰는 시간이 거의 동일하다는 의미이다. 사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치로, 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다. '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 책상.. 2024. 8. 2. 이전 1 2 3 4 ··· 19 다음 728x90 반응형
