728x90 반도체 공부42 [반도체 후공정] (2) 반도체 패키지의 정의와 역할 / 3차원 반도체 적층 / 플립 칩 / TSV / MCP / SiP 반도체 후공정(2) 반도체 패키지의 정의와 역할-SK하이닉스 뉴스룸#1. 반도체 패키지의 정의전자패키징 기술은 모든 전자제품의 하드웨어 구조물과 관련된 기술로서,하드웨어 구조물은 반도체와 같은 능동소자*와 저항, 캐패시터(Capacitor)**와 같은 수동소자***로 구성된다. 이렇듯 전자패키징 기술은 매우 폭넓은 기술이며, 0차 레벨 패키지부터 3차 레벨 패키지까지의 체계로 구분할 수 있다.은 실리콘 웨이퍼에서 단일 칩을 잘라내고, 이를 단품화하여 모듈(Module)을 만들고,모듈을 카드 또는 보드(Board)에 장착하여 시스템을 만드는 전체 과정을 모식도로 표현한 것이다. 이러한 과정 전체를 일반적으로 패키지 또는 조립(Assembly)이라고 광의적인 의미로 표현한다. 패키지레벨, 패키지의 체계 분류.. 2024. 7. 4. [반도체 후공정] (1) 반도체 테스트의 이해 / EPM / 프루브 카드 / 리페어 / TDBI 반도체 후공정(1) 반도체 테스트의 이해-SK하이닉스 뉴스룸 반도체 공정은 웨이퍼를 제조하고 회로를 새기는 전공정, 칩을 패키징하는 후공정으로 나뉜다.이중 후공정은 반도체 미세화 기술이 한계점에 다다른 현시점에서 중요성이 점점 더 커지고 있다.특히, 새로운 부가가치를 만들 수 있는 핵심 기술로 주목받고 있다.#1. 반도체 후공정반도체 제품을 만들기 위해서는 먼저 원하는 기능을 할 수 있도록 칩(chip)을 설계해야 한다.그리고 설계된 칩을 웨이퍼(wafer) 형태로 제작해야 한다.웨이퍼는 칩이 반복 배열되어 있어서, 공정이 다 진행된 웨이퍼를 보면 격자 모양을 확인할 수 있다.격자 하나가 바로 한 개의 칩이다.칩의 크기가 크면 한 웨이퍼에서 만들어지는 칩의 개수가 적어질 것이다.반대로 칩의 크기가 작으면.. 2024. 7. 4. [반도체 defect] 종류와 Insepction, 원인 분석 반도체 공정에서 발생하는 Defect Defect의 종류 Random공정 환경 내 부유 먼지에 의해 발생하는 Defectrandom한 위치에 떨어지고 wafer 전면에 골고루 분포하는 특징 Systematic설비에서 발생하는 특정한 문제로 인해 먼지 또는 공정 parameter뒤틀림에 의한 불량, random defect와 경계가 모호함 Paramatric공정 set-up의 문제 또는 설비에서 특정한 문제 발생으로 인해설계한 전기적 특성에서 벗어나는 불량systematic 불량과 마찬가지로 문제의 발생 원인에 따라 형태가 다르게 나타남 Defect 점검 도구 (Defect Inspection tool) Laser Scattering Inspection (dark field)- WF에 레이저를 조사.. 2024. 7. 4. [반도체 용어] UFS :: 고성능 저전력의 초소형 폼팩터 메모리 / eMMC / RPMB / UFS UFS : Universal Flash Storag고용량 소형화 저전력 기술 솔루션고속컨트롤러 + 낸드플래시 스마트폰, 노트북, 컴퓨터 등의 전자 기기를 구매할 때 중요한 요소 중 하나는 용량이다.128GB, 512GB, 1TB 등의 숫자는 메모리의 용량을 의미한다. 최근 전자 기기가 고성능화, 경량화됨에 따라 메모리 반도체 역시 고용량은 물론이고소형화, 저전력 기술을 요구받고 있다. 이번 에피소드에서는 이러한 메모리 트렌드를 대표하는 솔루션, ‘UFS’를 소개한다. MAP 1. 전자 기기에서 필수 불가결한 존재 UFS를 자세히 이해하려면 먼저 플래시 메모리에 대해 알아야 한다.플래시 메모리란, 비휘발성 메모리로, 전원이 꺼지면 정보를 모두 잃어버리는 D램이나 S램과 달리전원이 끊겨도 데이터를 전기적.. 2024. 7. 3. [반도체 용어] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 / DRAM / NAND Flash / SLC MLC TLC / 플로팅 게이트(Floating Gate) 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) : 기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000.. 2024. 6. 29. [반도체 용어] DDR5 / 삼성전자 DRAM 메모리 반도체 DRAM "DDR"DRAM: Dynamic Random Access Memory (동적 랜덤 엑세스 메모리), 임의 접근 기억 장치의 한 종류 DDR : Double Data Rate로, 다양한 애플리케이션에 빠른 데이터를 전송하는 솔루션 고성능 서버, 데이터 센터, 데스크탑, 노트북 등 각 애플리케이션에 최적화 설계 DDR5 : 삼성전자의 12나노급 DRAM 초고속DDR4 대비 버스트 길이가 8 바이트에서 16 바이트로, 16-뱅크에서 32-뱅크 구조으로 증가하며 두 배 이상 향상된 성능을 제공합니다.최대 7,200 Mbps의 전송 속도로 대규모의 복잡한 데이터 작업을 빠르고 효과적으로 처리합니다. 대용량삼성의 12나노급 공정과 EUV 기술을 적용하여 최대 1TB 용량의 DDR5 메모리 .. 2024. 6. 29. 이전 1 2 3 4 5 6 7 다음 728x90
