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[반도체 8대 공정] (1) 웨이퍼 제조 오늘은 8단계의 공정 중 첫 번째인 ‘웨이퍼(Wafer) 제조’에 대해 알아볼 텐데요. 반도체 집적회로의 핵심 재료인 웨이퍼란 무엇인지, 웨이퍼를 만드는 단계부터 차근차근 확인해 보겠습니다. 반도체 집적회로란, 다양한 기능을 처리하고 저장하기 위해 많은 소자를 하나의 칩 안에 집적한 전자부품을 말합니다. 웨이퍼라는 얇은 기판 위에 다수의 동일 회로를 만들어 반도체 집적회로가 탄생되는 만큼, 웨이퍼는 반도체의 기반인 셈이죠.  웨이퍼는 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(GaAs) 등을 성장시켜 만든 단결정 기둥을 적당한 두께로 얇게 썬 원판을 의미하는데요. 대부분의 웨이퍼는 모래에서 추출한 규소, 즉 실리콘으로 만듭니다. 웨이퍼 제조과정 1단계. 잉곳(Ingot) 만들기모래에서 추출한 실리콘을 반도체 재료로.. 2024. 5. 16.
[삼성전자] 2024년 상반기 보도자료 정리 - 2부 1. 삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대2. 삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공3. 삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산4. 이재용 회장, ZEISS와 반도체 협력 강화 논의5. 삼성전자, 2024년 1분기 실적 발표 1. 삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대  - 삼성전자는 국제수자원관리동맹(AWS)으로부터 최고 등급인 ‘플래티넘’ 인증 사업장을 기존 1개에서 7개로 확대*AWS(Alliance for Water Stewardship)- AWS는 UN국제기구 UNGC와 CDP 등 국제단체가 설립에 동참한 글로벌 최대 규모 물관리 인증 기관으로,  기업이 종합적인 수자원 관리 체계를 구축하고 있는지 평가함*UNGC(UN Global .. 2024. 5. 7.
[삼성전자] 2024년 상반기 보도자료 정리 - 1부 1. 삼성전자, 성능과 범용성 모두 갖춘 소비자용 SSD ‘990 EVO’ 출시2. 삼성전자, 2023년 4분기 실적 발표3. 삼성전자-Arm 협력 확대로 GAA 공정 기술 경쟁력 고도화4. 삼성전자, 업계 최초 36GB HBM3E 12H D램 개발5. 삼성전자, 업계 최초 SD 익스프레스 마이크로SD 카드 개발 1. 삼성전자, 성능과 범용성 모두 갖춘 소비자용 SSD ‘990 EVO’ 출시 - 성능과 범용성을 모두 갖춘 소비자용 SSD 신제품 ‘990 EVO’ 출시- ‘990 EVO’는 뛰어난 성능과 합리적인 가격으로 폭넓은 사용자층에게 최적의 솔루션이 될 것으로 기대됨- 전작 ‘970 EVO Plus’ 대비 ▲속도 ▲전력효율 ▲기술력 모두 향상됨- 연속 읽기·쓰기 속도는 각각 최대 5,000 MB/s.. 2024. 5. 7.
[반도체 용어] Fab, clean room, 클래스, FOUP, OHT Fab, clean room, 클래스, FOUP, OHT  FabFabrication을 줄인 말로 반도체 제조 시설 클린룸(Clean room) 반도체 생산라인 내부 클래스공간의 청정도를 나타내는 척도클래스는 가로, 세로, 높이가 각 1피트인 1입방피트 안에 0.5 마이크로미터 이상 크기의 입자 수가 얼마나 되는지를 나타냄Ex) 클린룸의 클래스가 1,000일때 0.5마이크로미터 이상 크기의 입자가 1,000개 이하인 공간 FOUP(Front Opening Unified Pod/Front Opening Universal Pod)웨이퍼를 보관하거나 안전하게 이동할 수 있게 고안된 용기로, 웨이퍼 배송 전용 상자 OHT(Overhead Hoist Transport)FOUP를 필요한 곳으로 이동시켜주는 배송 차.. 2024. 3. 9.
[삼성전자] FDSOI(Fully Depleted SOI) PDSOI와 FDSOI: SOI 기술의 이해SOI의 유형PDSOI(Partially Depleted SOI)와 FDSOI(Fully Depleted SOI)는 Box와 채널용 단결정 실리콘의 두께에 따라 구분된다.PDSOI의 장단점PDSOI는 주로 전력소자 등의 아날로그 제품에 사용된다.장점: Junction을 통한 누설 전류를 차단 가능하고, Capacitance 감소단점: Floating body effect로 인한 Hysteresis 및 Kink effect 발생한다.FDSOI의 장점FDSOI는 PDSOI에 비해 더 많은 장점을 가진다.UTB SOI 구조로, 채널 누설 전류를 줄이는 효과가 있다.게이트의 채널 컨트롤 능력이 우수하여 short-channel effects를 줄일 수 있다.FDSOI의.. 2024. 2. 29.
[반도체 제조공정] 무어의 법칙과 트랜지스터 무어의 법칙, 트랜지스터무어의 법칙: 1964년 인텔 공동창립자인 고든 무어가 동일 면적 내 집적되는 소자 개수가 1년마다 2배가 될 것이라고 예측 (이후 18개월 마다로 수정함) 지난 40여년간 무어의 법칙이 지켜졌지만, 현재 물리적 한계에 직면해 무어의 법칙이 완벽히 들어맞지는 않음 반도체의 집적도가 올라가거나 IC chip크기가 작아지도록  노력하는 중(동일한 면적에 트랜지스터 개수 증가, = 트랜지스터 소자 스케일링)  10나노, 8나노 공정 등~ →  트랜지스터의 게이트 길이를 의미함 chip사이즈를 줄이는 공정. ⇒  다양한 회로를 추가할 수 있음 게이트 길이를 절반 줄일경우 chip면적은 네배를 줄일 수 있음트랜지스터(Transistors): 반도체를 이용하여 전자신호 및 전력을 증폭하거나 .. 2024. 1. 21.
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