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반도체109

[STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (3) 확산 공정 장비에 의한 공정 불량 / Poly Dep Injector Broken Issue 반도체 제조 공정 장비 운영 (3) 확산 공정 장비에 의한 공정 불량Poly Dep Injector Broken Issue 1. 이상 징후- Process 진행 중 Tube 내부에 장착된 Quartz Injector Broken으로 Particle이 발생하여 Wafer에 막대한 영향을 줌 2. 예방 방법- 장비 PM을 철저히 실시해야함- 각 파트에 대한 Lifetime을 준수해야 함Center Thermocouple 이상에 의한 Temp Reading 불량 1. 이상 징후- 고온에서 진행된 확산 공정은 온도 조절이 매우 중요함- Thermocouple 이상으로 온도 인식이 잘못되어 공정 이상으로 대량 사고가 발생함 2. 예방 방법- 관련된 각 파트들의 Spec. 을 준수하는 것이 일차적인 예방법- 주기적.. 2024. 6. 22.
[STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 / MFC / LP-CVD / Furnace 반도체 제조 공정 장비 운영(2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 산화 및 확산 공정 장비 구조- 반응 gas는 MFC를 통과하면서 지정된 양만큼 공급- 반응로의 상부로 반응 가스가 주입되면, 실리콘 웨이퍼 탑재영역을 통해 반응로의 하부로 배기됨 - Boat: 실리콘 웨이퍼를 탑재하는 장치- Torch: H₂ 와 O₂를 반응시켜 수증기를 발생시키는 장치- MFC(Mass Flow Controller):  Gas의 유량을 조절하는 장치  LP-CVD 공정의 주요 모듈- 진공펌프: 반응로 내부를 저압 상태로 유지함- 압력조절장치(APC): 펌프와 반응로 사이에 있는 것으로 압력을 조절함- Tube: 진공을 유지하기 위한 Outer Tube / 반응 Gas의 흐름을 구분하기 위한 Inner Tube LP-CVD.. 2024. 6. 22.
[STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (1) 확산공정 / 산화공정 / 열처리 공정 / LP-CVD 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(1) 확산공정 확산공정(Diffusion) 주요 공정은 세 가지로 나뉨 1. 산화공정(Oxidation) 2. 열처리 공정 3. LP-CVD 공정  1. 산화공정(Oxidation) 반응로에서 고온(800~1200도씨)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응을 시켜얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성시키는 공정 - 산화막 형성은 실리콘 집적회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용됨- 실리콘 공정에서는 열산화막이 많이 사용되고, 그 외 실리콘 기판 위에산화막을 형성시키는 방법은 산화막을 형성하는 온도에 따라 다양함- 실리콘 웨이퍼의 표면을 산소(또는 수증기)와 반응시켜 실리콘 산화막을 형성하는 것으로산화막의 두께 조절이 쉽고, 실리콘과 산화막 사이의 계면 특성.. 2024. 6. 22.
[반도체 전공정] (6) 금속배선 공정 / 배리어 메탈 / Damascene (6) 금속배선 공정 : SK하이닉스 뉴스룸 반도체의 핵심, ‘연결’ 앞서 살펴본 산화, 포토, 식각, 증착 등의 과정들을 여러 차례 거치고 나면 드디어 반도체 소자들이 웨이퍼 표면에 형성된다.SK하이닉스와 같은 메모리 반도체 회사라면 웨이퍼 표면에 트랜지스터와 캐패시터*가 늘어서게 됐을 것이고,파운드리나 CPU 회사라면 FinFET*과 같은 3차원 트랜지스터가 웨이퍼 바닥에 나란히 자리하고 있을 것이다.* 캐패시터(Capacitor) : 축전지, 전기를 저장할 수 있는 장치로 다수의 전자제품에 적용되지만 본 칼럼에서는 메모리 반도체에서 데이터가 저장되는 장치를 지칭한다.* FinFET : 3차원 MOSFET의 일종으로, 전류의 통로가 물고기 지느러미 모양과 비슷하게 생겼다.▲ 그림 1 : 소자 영역과 .. 2024. 6. 18.
[삼성전자 뉴스룸] 삼성전자, 파운드리 포럼 2024 개최 AI 시대 파운드리 비전 제시 / 1.4나노 / 2나노 / AI 반도체 / AI 솔루션 / AVP / BSPDN 기술 / GAA / SAFE 포럼 / SF2Z / 파운드리 포럼 2024 / 엣지컴퓨팅 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 12일(현지시간)‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’를 개최하고AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다.    이번 행사는 “Empowering the AI Revolution”을 주제로, 고객의 인공지능(AI) 아이디어 구현을 위해 삼성전자의 최선단 파운드리 기술은 물론, 메모리와 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등 삼성만의 차별화 전략을 제시했다.▲ 6월 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’에서 삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장이 기조연설을 하고 있다. 삼성전자 파운드리 사업.. 2024. 6. 17.
[반도체 전공정] (5) 증착 공정 / STI / IMD / 균일도 / 스텝커버리지 / 갭필 / ALD / 일렉트로마이그레이션 (5) 증착 공정 : SK하이닉스 뉴스룸증착 : 물질 추가하기 쿠키 사이에 초코 시럽을 넣기 위해 쿠키 일부를 깎아 냈으므로, 그다음에는 초코 시럽을 바르고 다른 쿠키를 덮어야 함을 알 수 있다. 초코 시럽을 바르는 과정과 다른 쿠키를 덮는 과정이 바로 증착이다.▲ 그림 1 : 초코 시럽을 바르고 쿠키를 위에 덮는 모습증착의 진행 과정은 매우 직관적이다. 처리하고자 하는 웨이퍼를 준비한 뒤, 증착 기기에 투입하고 표면에 충분한 두께의 박막이 생기기를 기다리는 것이다. 박막이 생성되고 나면 필요 없는 부분들을 제거한 뒤, 다음 공정을 시행한다.웨이퍼 표면 물질을 제거하는 공정이 식각 이외에도 여러 종류가 있었듯, 웨이퍼 윗면에 물질을 추가하는 공정 역시 증착 이외에도 많이 있다. 예를 들면, 포토 공정에서.. 2024. 6. 17.
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