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[반도체 용어] Fab, clean room, 클래스, FOUP, OHT Fab, clean room, 클래스, FOUP, OHT  FabFabrication을 줄인 말로 반도체 제조 시설 클린룸(Clean room) 반도체 생산라인 내부 클래스공간의 청정도를 나타내는 척도클래스는 가로, 세로, 높이가 각 1피트인 1입방피트 안에 0.5 마이크로미터 이상 크기의 입자 수가 얼마나 되는지를 나타냄Ex) 클린룸의 클래스가 1,000일때 0.5마이크로미터 이상 크기의 입자가 1,000개 이하인 공간 FOUP(Front Opening Unified Pod/Front Opening Universal Pod)웨이퍼를 보관하거나 안전하게 이동할 수 있게 고안된 용기로, 웨이퍼 배송 전용 상자 OHT(Overhead Hoist Transport)FOUP를 필요한 곳으로 이동시켜주는 배송 차.. 2024. 3. 9.
[삼성전자] FDSOI(Fully Depleted SOI) PDSOI와 FDSOI: SOI 기술의 이해SOI의 유형PDSOI(Partially Depleted SOI)와 FDSOI(Fully Depleted SOI)는 Box와 채널용 단결정 실리콘의 두께에 따라 구분된다.PDSOI의 장단점PDSOI는 주로 전력소자 등의 아날로그 제품에 사용된다.장점: Junction을 통한 누설 전류를 차단 가능하고, Capacitance 감소단점: Floating body effect로 인한 Hysteresis 및 Kink effect 발생한다.FDSOI의 장점FDSOI는 PDSOI에 비해 더 많은 장점을 가진다.UTB SOI 구조로, 채널 누설 전류를 줄이는 효과가 있다.게이트의 채널 컨트롤 능력이 우수하여 short-channel effects를 줄일 수 있다.FDSOI의.. 2024. 2. 29.
[반도체 제조공정] 무어의 법칙과 트랜지스터 무어의 법칙, 트랜지스터무어의 법칙: 1964년 인텔 공동창립자인 고든 무어가 동일 면적 내 집적되는 소자 개수가 1년마다 2배가 될 것이라고 예측 (이후 18개월 마다로 수정함) 지난 40여년간 무어의 법칙이 지켜졌지만, 현재 물리적 한계에 직면해 무어의 법칙이 완벽히 들어맞지는 않음 반도체의 집적도가 올라가거나 IC chip크기가 작아지도록  노력하는 중(동일한 면적에 트랜지스터 개수 증가, = 트랜지스터 소자 스케일링)  10나노, 8나노 공정 등~ →  트랜지스터의 게이트 길이를 의미함 chip사이즈를 줄이는 공정. ⇒  다양한 회로를 추가할 수 있음 게이트 길이를 절반 줄일경우 chip면적은 네배를 줄일 수 있음트랜지스터(Transistors): 반도체를 이용하여 전자신호 및 전력을 증폭하거나 .. 2024. 1. 21.
[반도체 기초] 개념과 재료특성 1. 반도체의 개념1) 반도체(Semiconductor): 전기전도도(단위[S/m]) 값을 임의로 조절 가능한 물질 2) 전기 전도도를 조절하는 방법- 빛, 온도 -> 국소적인 전기전도도 조절이 어려움- 불순물을 주입: 도핑 -> 이후에는 변동 불가- 외부전계를 인가하여 자유전자(혹은 정공)의 개수를 조절-> 반도체 소자 제작 이후에도 국소적으로 전기전도도의 조절 가능 부도체  전기전도도의 값을 임의로 조절하여 도체 혹은 부도체 만큼의 전기전도도를 얻을 수 있음 3) 아날로그신호- 시간에 따라 연속적으로(Contuious)변화하는 신호- 자연계의 대부분의 신호 4) 디지털 신호- High(5V이하) 및 Low(0V), 참 혹은 거짓, 0 or 1과 같이 이산적(Discrete)으로 구별되는 신호- 디지털.. 2024. 1. 8.
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