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[컴퓨터활용능력 2급] 컴활2급 필기 단기합격 / 3일 공부 / 책 없이 공부하는법 / 고양상공회의소 [컴퓨터활용능력 2급 필기]접수/ 공부시작일 : 6월 7일시험일 : 6월 10일총 공부기간 : 3일시험결과 : 합격 컴퓨터활용능력 2급 ​​- 주최기관 : 대한 상공회의소 - 시험 일정: 상시​- 접수 방법 : 상공회의소 홈페이지 또는 코참 패스 어플에서 접수- 응시료: 21,700원 (수험료: 20,500원 + 접수비: 1,200원) *현장접수하면 1,200원 빼준다는데 하는사람 못 봄 ​- 시험 방식: CBT- 시험 시간 : 40분- 시험 과목 : 컴퓨터 일반 - 20문항 / 스프레드시트 일반(엑셀) - 20문항​- 합격 기준: 과목당 40점 이상, 평균 60점 이상 (만점: 과목당 100점) 타임라인 [1일차]- 시험 접수, 공부 시작- 균쌤 요약 영상 보기 https://youtu.be/gcUFl.. 2024. 6. 11.
[SK하이닉스 뉴스룸] D램과 낸드플래시의 동향과 전망 - D램편 / D램 / DDR5 / LPDDR5T / HBM3E sk하이닉스 뉴스룸테크인사이츠 최정동 수석 부사장전문가 인사이트 정리 AI(인공지능)의 활용이 확대되면서 데이터센터를 비롯해 AI 서버 등에서는 차세대 메모리 제품 수요가 늘어나고 있다. 차세대 메모리 제품은 고용량, 고속 연산, 고성능, 저전력의 특성이 있으며, SK하이닉스를 비롯한 세계적인 메모리 기업들은 역동적이고 혁신적인 차세대 메모리 제품을 개발하며 선의의 경쟁을 펼치고 있다.  특히 SK하이닉스는 D램과 낸드플래시(NAND flash, 이하 낸드) 두 분야에서 최고 수준의 기술 경쟁력을 갖추고 있는데, 이는 지난 2년간 메모리 가격이 내려갔음에도 불구하고 과감한 R&D 투자와 기술개발을 위한 노력이 있었기에 가능한 결과라고 생각한다. 이번 기고문에서는 2편에 걸쳐 D램과 낸드의 기술 동향을 살.. 2024. 6. 9.
[반도체 용어] CXL / PCle / CMM-D / 메모리 풀링 / MAP 1. 빅데이터 시대 속 데이터 처리의 새로운 길 인공 지능, 머신 러닝 등의 기술 발전으로 처리해야 할 데이터양이 폭증하면서, 고성능 CPU는 빠른 데이터 처리를 위해 단일 칩에 점점 더 많은 코어(Core)를 통합하고 있다.  특히 AI 서비스를 위한 고성능 CPU에는 100개가 넘는 코어가 존재한다. 코어 수가 증가할수록 각 코어를 담당할 충분한 메모리가 필요한데, 현재 위와 같은 상황으로 인해 고속 인터페이스를 사용하고 용량 확장이 용이한 메모리 제품에 대한 수요가 급증하고 있다. 그러나 기존에 사용되어 온 DDR 인터페이스 기반의 D램은한정된 범위 내에서만 용량을 확장할 수 있어 AI 서비스에 필요한 성능을 충족시키지 못했다. 이로 인해 기존 메모리 성능과 고성능 CPU 간에 격차가 생기면.. 2024. 6. 5.
[반도체 용어] SSD / HDD / 플래시메모리 / V낸드 / 낸드플래시 / 플로팅게이트 / CTF / 채널홀 Map 1. HDD에서 SSD로! 저장매체 패러다임의 변화 *HDD: Hard Disk Drive 'HDD'는 비휘발성 데이터 저장소 중 가장 오랜 시간 대중의 사랑을 받았다.1950년대에 출시된 이후 지속적인 개발을 거쳐, 1990년대에는 개인용 컴퓨터의 핵심 부품으로 자리 잡기도 했다. 그러나 오늘날 컴퓨터, 스마트폰, 태블릿 등 대부분의 전자기기에는 'SSD'가 사용되고 있다.이렇듯 시대별 보조 기억장치의 대표 주자로 자리했던 HDD와 SSD의 차이점은 과연 무엇일까? 1990년대 이후 대부분의 PC는 HDD라는 저장장치를 활용했다.HDD는 금속이나 유리로 만들어진 원형 판 ‘플래터(Platter)’와 바늘 모양의 ‘헤드(Head)’로 구성된 기계식 저장장치다. HDD의 데이터 처리 방식은 LP판에.. 2024. 6. 5.
[반도체 용어] GAA / Gate All Around /트랜지스터 / 단채널 현상 / Short Channel Effect / MBCFET / Nanosheet MAP 1. 트랜지스터가 최초의 반도체라고? 첫 번째 키워드는 ‘트랜지스터’다. 트랜지스터는 반도체를 구성하는 주요 소자로 게이트를 통해 전류의 흐름을 조절하는 역할을 한다. 전자기기는 대부분 전류의 흐름을 조절하는 방식으로 정보를 저장하기에 트랜지스터는 ‘최초의 반도체’라 불린다.위 그림에서 볼 수 있듯이 트랜지스터가 작아지면 더 빠른 연산이 가능하고, 더 적은 전력으로 동작할 수 있다. 즉, 트랜지스터를 작게 만들어 웨이퍼 하나에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣느냐는 반도체의 성능과도 직결되는 문제 MAP 2. 초미세 공정의 한계에 부딪히다반도체를 작게 만드는, ‘초미세 공정’은 반도체 기술력의 상징으로 불린다. 반도체 크기가 작아질수록, 반도체 칩을 구성하고 있는 트랜지스터도 점점 작아져야 하는데, 이.. 2024. 6. 5.
[반도체 용어] Advanced Package / 이종 집적화 / 인터포저 / I-Cube / H-Cube / X-Cube / HCB / Bump-less X-Cube 반도체 성능은 한정된 공간에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣을 수 있느냐에 따라 결정된다. 이에 대해 ‘반도체 집적도는 24개월마다 두 배로 늘어날 것이다’라고 예측한, 일명 ‘무어의 법칙(Moore’s Law)’도 존재한다.  MAP 1. 반도체 미세화의 한계를 극복할 키 기존의 반도체들은 고유의 성능을 각자 가지고, 세트(완제품)를 통해 결합되어 각종 응용처에서 활용되어 왔다.그러나 반도체의 핵심인 미세화 기술의 난이도가 급격히 증가하고 있으며, 이에 따른 개발 비용도 기하급수적으로 증가하고 있다. 또한 모바일, 웨어러블, 클라우드, 인공지능, 자동차 등 다양한 응용처에서 각종 반도체 칩들이고밀도로 실장되어 고성능을 구현하기 위해서는 기존의 미세화 기술로는 요구되는 성능을 만족하기 어렵게 되었다. 이에 .. 2024. 6. 4.
[반도체 용어] 디스플레이 반도체 DDI / TFT / T-CON / MDDI / PDDI / TDDI / OLEDoS / 업스케일링 / 게이트시그널 / 소스시그널 DDI: Display Driver IC, 디스플레이 픽셀을 구동해서 화면을 송출시키는 시스템 반도체  MAP 1. 넘치는 생동감을 경험하게 해 줄 DDIDDI는 ‘Display Driver IC(Integrated Circuit)’의 약자로, 디스플레이를 구성하는 수많은 픽셀을 구동하는 데에 쓰이는 작은 반도체 칩이다. 다시 말해 OLED, LCD와 같은 다양한 유형의 디스플레이에서 화면이 송출되기 전 마지막 단계를 거치는 곳으로, 수많은 픽셀을 컨트롤하며 화면을 통해 보이는 모든 화소를 선명하게 구현해 내는 역할을 한다. 겉으로는 보이지 않지만, 위 그림처럼 얇은 몸으로 디스플레이의 가장자리에 들어가있다.스마트폰의 전면을 보면 베젤(화면의 테두리)이 위치해 있는데, DDI는 이 베젤의 뒤쪽에 위치한다.. 2024. 6. 4.
[삼성전자 뉴스룸] 온디바이스 AI 시대의 중심 / LPCAMM2 / SO-DIMM / 온보드형메모리 / LPDDR LPCAMM2: Low Power Compression Attached Memory Module   ‘더 얇게, 더 가볍게’가 당연시되는 요즘이다. 대부분의 제품이 그러하지만, 특히나 PC나 노트북과 같은 IT 기기 시장에서는 이러한 요소가 큰 경쟁력 중 하나다. 이를 위한 솔루션으로 등장한 것이 바로 차세대 D램, LPCAMM2다. *LPCAMM2: Low Power Compression Attached Memory Module  MAP 1. 차세대 메모리를 위한 진전의 기록  얇고 가벼운 노트북을 만들기 위해 그동안 많은 시도가 이루어졌고, 온보드형 메모리와 SO-DIMM 메모리를 사용해 왔다. *SO-DIMM: Small Outline Dual In-line Memory Module  SO-DIMM.. 2024. 5. 29.
[반도체 용어] 36G HBM3E 12H / shinebolt / HBM / TSV / TC-NCF / AGI / core die / bump HBM: High Bandwidth Memory   HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로, 고대역폭 메모리를 의미한다. 얇은 D램 칩을 수직으로 쌓아 올려 초거대 AI 모델이 요구하는 메모리의 성능과 용량을 만족시킨다. *대역폭(bandwidth): 메모리의 데이터 전송 속도를 의미한다. 대역폭이 높을 수록 한 번에 처리할 수 있는 데이터의 양이 많아짐 36GB HBM3E 12H(Shinebolt) D램은 삼성전자의 5세대 HBM으로 D램 칩을 TSV 기술로 12단까지 적층한 메모리로, 2024년 2월 최초로 개발에 성공했다. *TSV(Through-silicon Via): 실리콘 관통 전극 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공한다. 전 세대 HBM3 .. 2024. 5. 28.
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