생각을 나누는 공간

반도체 제조 공정 장비 운영(6) Track 주요 모듈 Track 장비의 주요 구성 모듈표면처리 모듈, 감광액 도포 모듈, 현상 모듈, 열처리 모듈이 핵심 1. Track 장비 시스템 구성 - C/S 동작 패널(Carrier Station) : 웨이퍼 스테이지와 C/S를 제거하는 패널- 웨이퍼 스테이지 : 공정이 진행될 웨이퍼를 In/Out 하는 부분- C/S ARM : 케리어에서 메인 공정 장소로 웨이퍼를 이동시키는 로봇의 암 부분- P/S 동작 패널(Process Station) : 공정을 제어하는 패널- WEE (Wafer Edge Exposure) :  ID 부분의 감광막을 제거하는 부분- I/F 동작 패널(Interface) : 노광기와 Track 간의 이동을 제어하는 패널- 인터페이스실 : 노..

반도체 제조 공정 장비 운영(5) Track 주요 공정[Photo 공정 중 Track 장비에서 진행되는 공정] - 포토공정: 각 layer 단계마다 필요한 패턴을 마스크를 이용해 웨이퍼에 전사하는 공정 박막증착 -> 감광제 도포 -> 노광 -> 현상 -> 식각의 단계로 진행됨 - 포토공정의 흐름도  - 웨이퍼 표면 처리 공정 화학제: HMDS기판 웨이퍼의 소수성 유지감광액과 웨이퍼 간의 접착력 증대플레이트 온도: 130도씨 - 베이크 공정 액상인 감광액의 화학적 열처리 과정베이크 공정 3단계: 소프트 베이크 - PEB - 하드 베이크 소프트 베이크- 플레이트 온도 130도씨 이하- 감광액 성분 중 용매 제거- 원심력에 의한 긴장 완화 PEB- 플레이트 온도 130도씨 이하- 정상화 패턴 프로파일 제거 하..

반도체 제조 공정 장비 운영 (4) 확산 장비 유지 보수방법예방 및 점검의 이해 1. 확산 장비의 가동률을 증가시켜 생산량을 확보하기 위해서- 확산 장비에 대한 적절한 유지 보수가 필요함- 각 모듈과 파트의 교환주기, 보정주기, 점검주기 등 세부항목을 선정 및 관리, 보완의 활동을 계속해야 함- 주어진 Spec을 철저히 준수하고 절차에 따라 유지보수를 시행- 임의의 행동으로 조치하거나 변경해서는 안 됨 2. 예방정비(PM)의 개념- PM(Preventive Maintenance): 장비의 성능을 유지시키고, 고장의 발생을 사전에 방지하는 활동으로장비의 수명을 연장하고 생산성을 향상시킴- 성능 점검, 부품 교체 및 수리, 청소를 통해 장비가 원하는 성능으로 가동될 수 있도록 하는 활동 3. 예방정비(PM)..

반도체 제조 공정 장비 운영 (3) 확산 공정 장비에 의한 공정 불량Poly Dep Injector Broken Issue 1. 이상 징후- Process 진행 중 Tube 내부에 장착된 Quartz Injector Broken으로 Particle이 발생하여 Wafer에 막대한 영향을 줌 2. 예방 방법- 장비 PM을 철저히 실시해야함- 각 파트에 대한 Lifetime을 준수해야 함Center Thermocouple 이상에 의한 Temp Reading 불량 1. 이상 징후- 고온에서 진행된 확산 공정은 온도 조절이 매우 중요함- Thermocouple 이상으로 온도 인식이 잘못되어 공정 이상으로 대량 사고가 발생함 2. 예방 방법- 관련된 각 파트들의 Spec. 을 준수하는 것이 일차적인 예방법- 주기적..

반도체 제조 공정 장비 운영(2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 산화 및 확산 공정 장비 구조- 반응 gas는 MFC를 통과하면서 지정된 양만큼 공급- 반응로의 상부로 반응 가스가 주입되면, 실리콘 웨이퍼 탑재영역을 통해 반응로의 하부로 배기됨 - Boat: 실리콘 웨이퍼를 탑재하는 장치- Torch: H₂ 와 O₂를 반응시켜 수증기를 발생시키는 장치- MFC(Mass Flow Controller):  Gas의 유량을 조절하는 장치  LP-CVD 공정의 주요 모듈- 진공펌프: 반응로 내부를 저압 상태로 유지함- 압력조절장치(APC): 펌프와 반응로 사이에 있는 것으로 압력을 조절함- Tube: 진공을 유지하기 위한 Outer Tube / 반응 Gas의 흐름을 구분하기 위한 Inner Tube LP-CVD..

반도체 제조 공정 장비 운영(1) 확산공정 확산공정(Diffusion) 주요 공정은 세 가지로 나뉨 1. 산화공정(Oxidation) 2. 열처리 공정 3. LP-CVD 공정  1. 산화공정(Oxidation) 반응로에서 고온(800~1200도씨)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응을 시켜얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성시키는 공정 - 산화막 형성은 실리콘 집적회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용됨- 실리콘 공정에서는 열산화막이 많이 사용되고, 그 외 실리콘 기판 위에산화막을 형성시키는 방법은 산화막을 형성하는 온도에 따라 다양함- 실리콘 웨이퍼의 표면을 산소(또는 수증기)와 반응시켜 실리콘 산화막을 형성하는 것으로산화막의 두께 조절이 쉽고, 실리콘과 산화막 사이의 계면 특성..