반도체 제조 공정 장비 운영
(5) Track 주요 공정
[Photo 공정 중 Track 장비에서 진행되는 공정]
- 포토공정: 각 layer 단계마다 필요한 패턴을 마스크를 이용해 웨이퍼에 전사하는 공정
박막증착 -> 감광제 도포 -> 노광 -> 현상 -> 식각의 단계로 진행됨
- 포토공정의 흐름도
- 웨이퍼 표면 처리 공정
화학제: HMDS
기판 웨이퍼의 소수성 유지
감광액과 웨이퍼 간의 접착력 증대
플레이트 온도: 130도씨
- 베이크 공정
액상인 감광액의 화학적 열처리 과정
베이크 공정 3단계: 소프트 베이크 - PEB - 하드 베이크
소프트 베이크
- 플레이트 온도 130도씨 이하
- 감광액 성분 중 용매 제거
- 원심력에 의한 긴장 완화
PEB
- 플레이트 온도 130도씨 이하
- 정상화 패턴 프로파일 제거
하드 베이크
- 플레이트 온도 110~120 도씨
- 감광액의 고형화, 잔여 용매 및 수분 제거 목적
- 쿨링 공정
표면 화학 처리와 3단계의 베이크 공정 후 실온까지 온도를 하강하는 과정
후속 공정 진행 시 열적 손상을 예방함
- 스핀 코팅(Spin Coating) -> Perovskite Solar Cell 연구 프로젝트 당시 사용했던 기법
코팅할 물질의 용액이나 액체 물질을 기질 위에 떨어뜨리고
고속으로 회전시켜 얇게 퍼지게 하는 코팅 방법(감광액 도포, 현상액 분사)
감광액을 노즐로 분사하고 스핀 모터의 회전수(RPM)을 조정하여 감광액의 두께 및 웨이퍼 전체에
감광액을 균일하게 도포함
웨이퍼 가장자리와 웨이퍼 후면에 도포된 불필요한 감광액 제거
-> 시너 린스(Thinner Rinse) 처리
도포 두께는 모터 회전수와 감광액의 점성도에 의존
균일도는 쿨링 온도, 감광액 온도, 도포 환경의 배기압, 온/습도 등에 의존
