728x90 반응형 GAA3 [반도체 용어] 반도체 용어 훑어보기 / GAA / MBCFET / HBM / TSV / SSD / NAND플래시 / V낸드 삼성전자 반도체 뉴스룸을 통해 반도체 용어들을 다시 한 번 확인해보자!공부 자료 제공에 항상 감사드립니다. :)1. GAA Gate All Around, 전류가 흐르는 네 개의 면을 게이트가 둘러싸는 형태의 트랜지스터 구조 게이트에 전압이 가해지면 트랜지스터는 채널-소스-드레인을 통해 전자가 흐르면서 동작한다. 하지만 트랜지스터가 소형화 되며 소스와 드레인 간의 거리가 가까워져 누설전류가 발생하게 되고게이트도 짧아져 제 역할을 못한다. 단채널 현상(Short channel effect)는 전류의 흐름을 조절하는 게이트가 너무 짧아져 발생하는 현상을 일컫는다.이것을 방지하기 위해 1차원 Planar FET, 3차원FinFET를 통해 GAA구조로 발전했다.4개의 채널을 4개의 게이트로 감싸 더욱 확실한 전.. 2024. 8. 11. [삼성전자 뉴스룸] 삼성전자, 파운드리 포럼 2024 개최 AI 시대 파운드리 비전 제시 / 1.4나노 / 2나노 / AI 반도체 / AI 솔루션 / AVP / BSPDN 기술 / GAA / SAFE 포럼 / SF2Z / 파운드리 포럼 2024 / 엣지컴퓨팅 삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 12일(현지시간)‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’를 개최하고AI 시대를 주도할 파운드리 기술 전략을 공개했다. 이번 행사는 “Empowering the AI Revolution”을 주제로, 고객의 인공지능(AI) 아이디어 구현을 위해 삼성전자의 최선단 파운드리 기술은 물론, 메모리와 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 분야와의 협력을 통한 시너지 창출 등 삼성만의 차별화 전략을 제시했다.▲ 6월 12일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)’에서 삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장이 기조연설을 하고 있다. 삼성전자 파운드리 사업.. 2024. 6. 17. [반도체 용어] GAA / Gate All Around /트랜지스터 / 단채널 현상 / Short Channel Effect / MBCFET / Nanosheet MAP 1. 트랜지스터가 최초의 반도체라고? 첫 번째 키워드는 ‘트랜지스터’다. 트랜지스터는 반도체를 구성하는 주요 소자로 게이트를 통해 전류의 흐름을 조절하는 역할을 한다. 전자기기는 대부분 전류의 흐름을 조절하는 방식으로 정보를 저장하기에 트랜지스터는 ‘최초의 반도체’라 불린다.위 그림에서 볼 수 있듯이 트랜지스터가 작아지면 더 빠른 연산이 가능하고, 더 적은 전력으로 동작할 수 있다. 즉, 트랜지스터를 작게 만들어 웨이퍼 하나에 얼마나 많은 트랜지스터를 넣느냐는 반도체의 성능과도 직결되는 문제 MAP 2. 초미세 공정의 한계에 부딪히다반도체를 작게 만드는, ‘초미세 공정’은 반도체 기술력의 상징으로 불린다. 반도체 크기가 작아질수록, 반도체 칩을 구성하고 있는 트랜지스터도 점점 작아져야 하는데, 이.. 2024. 6. 5. 이전 1 다음 728x90 반응형
