728x90 반응형 DRAM2 [반도체 용어] SRAM, DRAM, Nand Falsh 차이 SRAMDRAMNAND Falsh 이번 포스팅에서는 메모리반도체 SRAM, DRAM, NAND Flash의 차이에 대해서 알아보려고 한다. RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory)은 휘발성 메모리로임의의 주소에 접근(Random Access)할 때 걸리는 시간이 거의 동일하다는 뜻인데,어떤 위치의 메모리 주소에서 데이터를 읽고 쓰는 시간이 거의 동일하다는 의미이다. 사용자가 자유롭게 내용을 읽고 쓰고 지울 수 있는 기억장치로, 컴퓨터가 켜지는 순간부터 CPU는 연산을 하고 동작에 필요한 모든 내용이 전원이 유지되는 내내 이 기억장치에 저장된다. '주기억장치'로 분류되며 보통 램이 많으면 한번에 많은 일을 할 수 있기에 '책상'에 비유되곤 한다. 책상.. 2024. 8. 2. [반도체 용어] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 / DRAM / NAND Flash / SLC MLC TLC / 플로팅 게이트(Floating Gate) 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) : 기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000.. 2024. 6. 29. 이전 1 다음 728x90 반응형
