728x90 반응형 산화막1 [반도체 8대 공정] (2) 산화 공정 이번에는 반도체 8대 공정의 두 번째, 산화공정(Oxidation)에 대해 자세히 알아보겠습니다. 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할을 하는 ‘산화막(SiO₂)’ 모래에서 추출한 실리콘을 반도체 집적회로의 원재료로 탄생시키기 위해서는 일련의 정제 과정을 통해 잉곳(Ingot)이라고 불리는 실리콘 기둥을 만듭니다. 이 실리콘 기둥을 균일한 두께로 절단한 후 연마의 과정을 거쳐 반도체의 기반이 되는 웨이퍼를 만드는데요. 이렇게 만들어진 얇고 둥근 판 모양의 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 부도체 상태입니다. 그래서 도체와 부도체의 성격을 모두 가진 ‘반도체’의 성질을 가질 수 있도록 만드는 작업이 필요한데요. 이를 위해 웨이퍼 위에 여러 가지 물질을 형성시킨 후 설계된 회로 모양대로 깎고, 다시 물질을 입혀 깎아내는.. 2024. 5. 16. 이전 1 다음 728x90 반응형
