728x90 반응형 lp-cvd1 [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 / MFC / LP-CVD / Furnace 반도체 제조 공정 장비 운영(2) 산화 및 확산 공정 주요 모듈 산화 및 확산 공정 장비 구조- 반응 gas는 MFC를 통과하면서 지정된 양만큼 공급- 반응로의 상부로 반응 가스가 주입되면, 실리콘 웨이퍼 탑재영역을 통해 반응로의 하부로 배기됨 - Boat: 실리콘 웨이퍼를 탑재하는 장치- Torch: H₂ 와 O₂를 반응시켜 수증기를 발생시키는 장치- MFC(Mass Flow Controller): Gas의 유량을 조절하는 장치 LP-CVD 공정의 주요 모듈- 진공펌프: 반응로 내부를 저압 상태로 유지함- 압력조절장치(APC): 펌프와 반응로 사이에 있는 것으로 압력을 조절함- Tube: 진공을 유지하기 위한 Outer Tube / 반응 Gas의 흐름을 구분하기 위한 Inner Tube LP-CVD.. 2024. 6. 22. 이전 1 다음 728x90 반응형
