728x90 반응형 TLC2 [반도체 용어] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 / DRAM / NAND Flash / SLC MLC TLC / 플로팅 게이트(Floating Gate) 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) : 기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000.. 2024. 6. 29. [삼성전자] 2024년 상반기 보도자료 정리 - 2부 1. 삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대2. 삼성전자, 업계 최고 속도 LPDDR5X 개발 성공3. 삼성전자, 업계 최초 ‘9세대 V낸드’ 양산4. 이재용 회장, ZEISS와 반도체 협력 강화 논의5. 삼성전자, 2024년 1분기 실적 발표 1. 삼성전자, ‘국제수자원관리동맹’ 최고 등급 인증 사업장 확대 - 삼성전자는 국제수자원관리동맹(AWS)으로부터 최고 등급인 ‘플래티넘’ 인증 사업장을 기존 1개에서 7개로 확대*AWS(Alliance for Water Stewardship)- AWS는 UN국제기구 UNGC와 CDP 등 국제단체가 설립에 동참한 글로벌 최대 규모 물관리 인증 기관으로, 기업이 종합적인 수자원 관리 체계를 구축하고 있는지 평가함*UNGC(UN Global .. 2024. 5. 7. 이전 1 다음 728x90 반응형
