728x90 반응형 RCA1 [8대 공정으로 MOSFET 형성 체험] (3) 모래로 웨이퍼 만들기 :: STEP 한국기술대학교 온라인평생교육원 8대 공정으로 MOSFET 형성 체험(3) 모래로 웨이퍼 만들기학습목표 웨이퍼 제작 공정에 대해 설명, 세정 방법과 산화막 형성 공정에 대해 설명 학습목차 1. 웨이퍼2. 세정3. 산화막 형성 1. 웨이퍼 웨이퍼의 크기가 클수록 생산되는 칩의 수 증가-> 80년대 4인치 -> 2010~ 12인치 칩 크기 변화시 공정 전체 변화가 수반됨. 웨이퍼의 특성Si 의 결정구조: FCC (Face Centered Cubic) 단위면적 당 원자수가 많아지면 산화속도는 증가하지만 식각 속도는 감소함단위면적 당 원자수가 적어지면 문턱전압에 영향을 주는 고정 전하가 줄어들기 때문에MOSFET의 기판으로는 100을 사용 8인치 이상은 스크라이브 라인을 잘 쓰지 않는다. 다만 플랫존간의 각도에 차이를 둬 표시할 수 있음.. 2024. 7. 4. 이전 1 다음 728x90 반응형
