728x90 반응형 tc-ncf1 [반도체 용어] 36G HBM3E 12H / shinebolt / HBM / TSV / TC-NCF / AGI / core die / bump HBM: High Bandwidth Memory HBM은 High Bandwidth Memory의 약자로, 고대역폭 메모리를 의미한다. 얇은 D램 칩을 수직으로 쌓아 올려 초거대 AI 모델이 요구하는 메모리의 성능과 용량을 만족시킨다. *대역폭(bandwidth): 메모리의 데이터 전송 속도를 의미한다. 대역폭이 높을 수록 한 번에 처리할 수 있는 데이터의 양이 많아짐 36GB HBM3E 12H(Shinebolt) D램은 삼성전자의 5세대 HBM으로 D램 칩을 TSV 기술로 12단까지 적층한 메모리로, 2024년 2월 최초로 개발에 성공했다. *TSV(Through-silicon Via): 실리콘 관통 전극 초당 최대 1,280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공한다. 전 세대 HBM3 .. 2024. 5. 28. 이전 1 다음 728x90 반응형
