archive freedom

  • 홈
  • 태그

MLC 1

[반도체 용어] 디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이 / DRAM / NAND Flash / SLC MLC TLC / 플로팅 게이트(Floating Gate)

디램(DRAM)과 낸드플래시(NAND Flash)의 차이DRAM (Dynamic Random Access Memory) : 캐패시터가 MOS 트랜지스터(Tr)와 분리되어 있어집적도가 떨어지는 대신 스위칭 속도가 빠른 메모리 NAND Flash (Nand Flash Memory) :  기본적인 MOSFET 구조에 플로팅 게이트가 추가된 형태로 집적도가 크게 상승한 메모리,하지만 플로팅 게이트로 인해 동작 속도가 떨어짐 메모리의 스위칭 기능과 저장 기능 메모리 반도체는 스위칭 및 데이터 저장 기능을 가진다. 스위칭은 데이터 집단을 받을지 말지를 결정하는 문 역할이고,데이터 저장 기능은 데이터를 쌓아두는 창고 역할이다. 스위칭 동작은 디램이 빠르지만, 데이터 저장 기능은 낸드플래시가 우수하다. 디램은 1000..

반도체/반도체 용어 2024.06.29
이전
1
다음
더보기
프로필사진

archive freedom

지식과 생각을 나누는 공간

  • 분류 전체보기 (125)
    • 철학 (0)
    • 디자인 (0)
    • 재테크 (3)
      • 금융지식 (1)
      • 국내주식 (1)
      • 해외주식 (1)
    • 어학 (2)
      • TOEIC (1)
      • OPIc (1)
    • 컴퓨터 & 데이터 (10)
      • Spotfire (4)
      • ADsP (2)
      • SQLD (1)
      • 컴퓨터활용능력 (2)
      • Python (1)
    • 반도체 (109)
      • 반도체 뉴스룸 (28)
      • 반도체 8대 공정 (9)
      • 반도체 전공정 (6)
      • 반도체 후공정 (11)
      • 반도체 제조 공정 장비 운영 (16)
      • 반도체 장비 시설 운영 Part 1 (12)
      • 반도체 장비 시설 운영 Part 2 (3)
      • 반도체 차세대 패키지 (1)
      • 반도체 Defect (1)
      • 반도체 용어 (13)
      • 기타 반도체 관련 지식 (2)
      • 8대공정 MOSFET 체험 (4)
      • Photo Lithography (2)
      • XRD & XPS (1)

Tag

반도체 뉴스, spotfire, 삼성전자뉴스룸, 반도체뉴스, 포토공정, 반도체 장비 시설 운영, CXL, 반도체, 반도체 전공정, 반도체8대공정, 삼성전자, 삼성전자 뉴스, 삼성전자반도체, 반도체 제조 공정 장비 운영, TSV, 반도체 후공정, 삼성전자 뉴스룸, hbm3e, sk하이닉스뉴스룸, HBM,

최근글과 인기글

  • 최근글
  • 인기글

최근댓글

공지사항

페이스북 트위터 플러그인

  • Facebook
  • Twitter

Archives

Calendar

«   2025/05   »
일 월 화 수 목 금 토
1 2 3
4 5 6 7 8 9 10
11 12 13 14 15 16 17
18 19 20 21 22 23 24
25 26 27 28 29 30 31

방문자수Total

  • Today :
  • Yesterday :

티스토리툴바