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CVD2

[반도체 공정] CVD(Chemical Vapor Deposition) 반도체 공정 CVD (Chemical Vapor Deposition)  반도체 칩을 만들 때에는 막을 쌓는 일부터 시작하는데,칩 내의 트랜지스터가 ON/OFF 전기적 신호를 빠른 속도로 처리하려면 막 두께를 얇고 균일하게,시간 변수에도 손상되지 않고 오래 버틸 수 있도록 만들어져야 합니다.막을 형성하는 방법으로는 증착(Deposition), SOG(Spin On Glass), 전해도금(Electro Plating) 등이 있는데,이중에서 가장 많이 쓰이는 증착은 크게는 물리적 방식과 화학적 방식으로 나뉩니다.현재 반도체 공정에서는 화학적 방식인 CVD를 많이 사용하고 있는데요.이는 물리적 방식인 PVD보다 웨이퍼 표면 접착력이 10배 높고, 대부분의 막이나 표면에 적용 가능하므로 활용도가 높기 때문이지요... 2024. 7. 21.
[반도체 8대 공정] (5) 박막 - 증착공정, 이온주입 공정 사람의 손톱보다 작고 종이만큼 얇은 반도체 칩에는 미세하고 수많은 층(layer)이 존재합니다. 이러한 구조를 형성하기 위해서는 반도체의 원재료가 되는 단결정 실리콘(Si) 웨이퍼 위에 단계적으로 박막을 입히고 회로를 그려 넣는 포토공정을 거쳐 불필요한 부분을 선택적으로 제거하는 식각공정과 세정하는 과정을 여러 번 반복하게 됩니다.  이때 회로 간의 구분과 연결, 보호 역할을 하는 얇은 막을 박막(Thin film)이라고 합니다. 이번 시간에는 이런 박막을 만드는 증착공정과 반도체가 전기적인 특성을 갖도록 만드는 일련의 과정에 대해 살펴보겠습니다.  증착공정(deposition)웨이퍼에 얇은 옷을 입히는 증착공정(deposition)  사전적 의미로 ‘박막(thin film)’이란 단순한 기계 가공으로는.. 2024. 5. 16.
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