728x90 반응형 확산공정1 [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (1) 확산공정 / 산화공정 / 열처리 공정 / LP-CVD 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(1) 확산공정 확산공정(Diffusion) 주요 공정은 세 가지로 나뉨 1. 산화공정(Oxidation) 2. 열처리 공정 3. LP-CVD 공정 1. 산화공정(Oxidation) 반응로에서 고온(800~1200도씨)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응을 시켜얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성시키는 공정 - 산화막 형성은 실리콘 집적회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용됨- 실리콘 공정에서는 열산화막이 많이 사용되고, 그 외 실리콘 기판 위에산화막을 형성시키는 방법은 산화막을 형성하는 온도에 따라 다양함- 실리콘 웨이퍼의 표면을 산소(또는 수증기)와 반응시켜 실리콘 산화막을 형성하는 것으로산화막의 두께 조절이 쉽고, 실리콘과 산화막 사이의 계면 특성.. 2024. 6. 22. 이전 1 다음 728x90 반응형
