728x90 반응형 산화공정2 [STEP 한국기술대학] 반도체 제조 공정 장비 운영 - (1) 확산공정 / 산화공정 / 열처리 공정 / LP-CVD 공정 반도체 제조 공정 장비 운영(1) 확산공정 확산공정(Diffusion) 주요 공정은 세 가지로 나뉨 1. 산화공정(Oxidation) 2. 열처리 공정 3. LP-CVD 공정 1. 산화공정(Oxidation) 반응로에서 고온(800~1200도씨)에서 산소나 수증기를 실리콘 웨이퍼 표면과 화학반응을 시켜얇고 균일한 실리콘 산화막(SiO₂)을 형성시키는 공정 - 산화막 형성은 실리콘 집적회로 제작에서 가장 기본적이며 자주 사용됨- 실리콘 공정에서는 열산화막이 많이 사용되고, 그 외 실리콘 기판 위에산화막을 형성시키는 방법은 산화막을 형성하는 온도에 따라 다양함- 실리콘 웨이퍼의 표면을 산소(또는 수증기)와 반응시켜 실리콘 산화막을 형성하는 것으로산화막의 두께 조절이 쉽고, 실리콘과 산화막 사이의 계면 특성.. 2024. 6. 22. [반도체 8대 공정] (2) 산화 공정 이번에는 반도체 8대 공정의 두 번째, 산화공정(Oxidation)에 대해 자세히 알아보겠습니다. 웨이퍼의 보호막과 절연막 역할을 하는 ‘산화막(SiO₂)’ 모래에서 추출한 실리콘을 반도체 집적회로의 원재료로 탄생시키기 위해서는 일련의 정제 과정을 통해 잉곳(Ingot)이라고 불리는 실리콘 기둥을 만듭니다. 이 실리콘 기둥을 균일한 두께로 절단한 후 연마의 과정을 거쳐 반도체의 기반이 되는 웨이퍼를 만드는데요. 이렇게 만들어진 얇고 둥근 판 모양의 웨이퍼는 전기가 통하지 않는 부도체 상태입니다. 그래서 도체와 부도체의 성격을 모두 가진 ‘반도체’의 성질을 가질 수 있도록 만드는 작업이 필요한데요. 이를 위해 웨이퍼 위에 여러 가지 물질을 형성시킨 후 설계된 회로 모양대로 깎고, 다시 물질을 입혀 깎아내는.. 2024. 5. 16. 이전 1 다음 728x90 반응형
